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超宽压铁路电源方案的分析与对比
全球主流铁路系统呈现多电压供电，导致电源模块无法归一化实现掉电保持功能，增加了客户应用系统的设计难度和管理成本。为兼容超宽全电压输入范围和电容归一化，金升阳利用自主IC的优势发明了一种主动式掉电保持电路。本文通过分析市面上几种常见铁路电源方案的优缺点，对超宽压铁路电源方案进行对比与总结。
2022-07-13
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仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题
这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇。2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。
2022-07-12
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25kW SiC直流快充设计指南(第八部分完结篇)：热管理
在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。在这一章，我们来看看其中的热管理部分是如何提高效率和可靠性，同时防止系统过早失效的。
2022-07-11
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贸泽荣获Vishay颁发的三项年度分销商大奖
2022年7月8日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 非常荣幸地宣布同时获得知名电子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.颁发的三项大奖。这三个奖项分别为2021年度美洲优质服务分销商、2021年度美洲优质服务半导体分销商和2021年度EMEA优质服务分销商。
2022-07-08
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构建高效通信连接，贸泽将携手Molex举办汽车天线解决方案在线研讨会
2022年7月7日 – 专注于引入新品推动行业创新™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将携手Molex于7月12日14:00-15:00举办主题为“车轮上的数据中心－Molex天线解决方案”的直播研讨会。届时，来自Molex的技术专家将为观众分享应用于汽车上的不同类型的天线方案，帮助工程师面对不同场景时，能够快速设计出高效的汽车通信产品。
2022-07-07
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25kW SiC直流快充设计指南(第七部分)：800V EV充电系统的辅助电源
在本系列的前几篇文章中[1-6]，我们介绍了基于安森美(onsemi)的SiC功率模块和其他功率器件开发的25kW EV快充系统，包括这个可扩展系统的整体架构和规格，以及其中PFC和DC-DC变换部分的硬件设计和控制策略。我们基本已经把电路设计部分讲完了，除了辅助电源设计的相关内容。
2022-07-07
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安森美的VE-TracTM SiC系列为电动车主驱逆变提供高能效、高功率密度和成本优势
双碳目标正加速推进汽车向电动化发展，半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车，新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来，如在关键的主驱逆变器中采用SiC可满足更高功率和更低的能效、更远续航、更小损耗和更低的重量，以及向800 V迁移的趋势中更能发挥它的优势，但面临成本、封装及技术成熟度等多方面挑战。安森美(onsemi)提供领先的智能电源方案，在SiC领域有着深厚的历史积淀，是世界上少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商之一，其创新的VE TracTM Direct SiC和VE-TracTM B2 SiC方案采用稳定可靠的平面SiC技术，结合烧结技术和压铸模封装，帮助设计人员解决上述挑战，配合公司其他先进的智能功率电源半导体，加快市场采用电动车，助力未来的交通迈向可持续发展。
2022-07-07
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贸泽荣获2021年度RECOM目录分销商奖
2022年7月6日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 很高兴地宣布荣获RECOM Power Inc.颁发的2021年度目录分销商奖。RECOM Power Inc.是一家专门生产AC/DC和DC/DC转换器及开关稳压器的电源制造商。在颁奖典礼上，RECOM表彰了贸泽在新产品引入和全球客户增长方面的卓越表现。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生导通行为研究
米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？
2022-07-06
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仿真看世界之SiC单管的开关特性
如下图1是今年英飞凌新推出的一颗TO-247-3封装的1200V/45mΩ的SiC MOSFET单管。假定该器件焊到PCB后，其管脚到器件内部芯片栅极、漏极和源极的杂散参数如下图所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管脚测到的信号，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1内部芯片的信号，芯片Q1内包含寄生电阻Rgint=4Ω。
2022-07-06
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如何正确理解SiC MOSFET的静态和动态特性
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。但尽管如此，工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数，以实现他们的设计目标。在下面的文章中，我们将为您提供更多关于这方面的见解。
2022-07-05
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安森美丰富的SiC方案解决新一代UPS的设计挑战
随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临如何在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间权衡取舍的挑战，安森美(onsemi)基于新一代半导体材料碳化硅(SiC)的方案，有助于变革性地优化UPS设计。
2022-07-04
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