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Arm SystemReady创下新里程 为数据中心夯实创新根基
Arm® 近日发布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 个月以来，获得产业广泛合作伙伴的支持，并已颁布超过 50 张认证，其中Microsoft® Azure® 基于Arm架构的 Ampere® Altra® 处理器的服务器获得 SystemReady SR 认证，成为首个获得认证的云服务提供商服务器，其搭载Arm架构的Ampere Altra 处理器的Azure虚拟机系列也是首批获得新的 Arm SystemReady VE （Virtual Environment，虚拟环境）认证的虚拟系统。此外，Arm在中国的生态也表现亮眼，包括浪潮信息、工业富联、联泰集群、联想、日海飞信、瑞芯微电子等众多芯片设计与 OEM 及 ODM 厂商均已加入 SystemReady 计划，认证范围涵盖服务器、 5G网络、物联网边缘计算等应用产品。
2022-06-21
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具备出色稳定性的CoolSiC MOSFET M1H
过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。
2022-06-21
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Digi-Key在2022年EDS领导力峰会上被供应商授予了25项大奖
全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 日前宣布在 5 月 10 日至 13 日于拉斯维加斯举行的 2022 EDS 领导力峰会上获得了供应商授予的 25 项大奖。这是对 Digi-Key 在过去一年中的销售业绩、客户服务、产品广度、数字存在等方面成绩的认可。
2022-06-20
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临床级可穿戴遭遇电量危机？新型结构传感器IC了解下
在健康和健身可穿戴设备的功能列表中，心率(HR)和血氧饱和度(SpO2)正迅速从“期待拥有”阶段进入“有望实现”阶段。但是，这种转变导致读数质量下降，这是因为一些传感器制造商在急于满足市场对这些功能的需求时，放松了其产品的读数质量，由此引发了人们对其产品准确性的质疑。
2022-06-20
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贸泽推出2022 Empowering Innovation Together系列第三期探索打造安全设计的重要性
2022年6月17日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布推出其备受好评的Empowering Innovation Together™计划的新一期内容。在“实现更高安全性的设计”这一期，贸泽探讨了在设计过程中的每个阶段融入安全性的重要性，从架构选择和组件挑选开始就要充分考虑安全性需求。作为2022 EIT计划的第三期，本期提供了丰富多彩的内容，包括全新的过去、现在和未来视频、博客、文章、信息图以及新一集的《科技在你我之间》播客。
2022-06-17
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有源前端整流器
介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧，利用指导拓扑和调制决策，有助于消除不可行选项，转而关注那些可能表现良好的选项。
2022-06-17
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让设计毫无负担，贸泽电子将携手安费诺信息通信举办能源ESS在线研讨会
2022年6月15日 – 专注于引入新品推动行业创新™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布将携手安费诺信息通信于6月21日14:00-15:30举办主题为“用于商业和民用的能源存储系统互连解决方案”的直播研讨会。届时，来自安费诺信息通信的技术专家将与观众分享储能系统（ESS）知识及连接器解决方案，助力工程师快速设计出高可靠性的ESS应用。
2022-06-16
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艾迈斯欧司朗就出售其数字照明系统欧洲和亚洲业务与英飞特电子达成协议
全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）宣布，与全球LED驱动电源供应商英飞特电子（INVENTRONICS）达成协议，将向英飞特电子出售数字照明系统（Digital Systems）欧洲和亚洲的业务。艾迈斯欧司朗将继续专注于高科技半导体业务，以及汽车、娱乐和工业照明业务。该交易标志着艾迈斯欧司朗战略实施的又一个里程碑，该战略将专注于光源、可视化和传感等核心技术领域，剥离非战略核心业务。本次交易遵循惯例交易约束。
2022-06-16
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性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案
UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，是不断成长的电动车市场向着800V母线车载充电器（OBC）和直流转换器迈进过程中的理想选择。与前几代一样，新FET也非常适合工业电池充电器、工业电源、光伏转换器、不间断电源和各种其他功率转换应用。
2022-06-15
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如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。
2022-06-15
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25kW SiC直流快充设计指南(第六部分)：用于电源模块的栅极驱动系统
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我们从硬件角度和控制策略上广泛介绍了25 kW电动汽车充电桩的开发。图1代表到目前为止所讨论的系统。
2022-06-15
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SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
随着制备技术的进步，在需求的不断拉动下，碳化硅（SiC）器件与模块的成本逐年降低。相关产品的研发与应用也得到了极大的加速。尤其在新能源汽车，可再生能源及储能等应用领域的发展，更是不容小觑。
2022-06-15
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