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光伏微逆变器应用中的拓扑及工作原理分析
光伏逆变器中使用典型的反激变换器作为DC/DC部分的拓扑，本文简要分析反激变换器在光伏微逆中的应用。
2023-03-03
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单相全桥逆变器的操作
如前所述，单相全桥逆变器用于将直流电转换为交流电。在该电路中，电子开关成对工作，在一个半波中，只有S1和S2闭合，而在另一个半波中，S3和S4闭合。逆变器的输出是可变频率的交流电压，取决于驱动设备的波形频率。图 1 显示了该逆变器的一般操作图。实际上，电路的“a”部分中的电子开关与“b”部分中的电子开关互补控制。在这种情况下，开关是理想的设备。
2023-02-21
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牵引逆变器：汽车创新与性能的相互交融
踩下电动汽车 (EV) 的踏板，即可获得快速、平稳的加速。我们对此已经感到非常满足了？当然不。新型电动汽车将拥有更高的性能和更长的续航里程。由于电动汽车将储存的电能转化为推进力，此类改进发生在电气层面，而不是牵引电机层面。牵引逆变器技术的新发展使其成为一个增长领域。牵引逆变器可以管理从高压电池包到电机的能量转换并推动车辆。大多数电动汽车的头条新闻都集中在电池系统的创新上而往往忽略了牵引逆变器。
2023-02-16
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使用RX单片机实现数字电源控制的示例
作为使用RX单片机进行逆变器控制的应用，以UPS为例对基于MCU的电源控制可行性进行介绍。
2023-02-14
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负降压转换器无需电感器
该电路使用两个电荷泵器件来降压负电压。第一个通过加倍和反相负输入电压产生正输出，第二个充当逆变器以产生所需的负输出。电路的输入和输出能力取决于所选IC元件允许的输入/输出电压。
2023-02-13
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是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。
2023-02-09
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安森美与大众汽车就下一代电动汽车的SiC技术达成战略协议
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。
2023-02-01
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MCU解决800V电动汽车牵引逆变器的常见设计挑战的3种方式
电动汽车 (EV) 牵引逆变器是电动汽车的核心。它将高压电池的直流电转换为多相（通常为三相）交流电以驱动牵引电机，并控制制动产生的能量再生。电动汽车电子产品正在从 400V 转向 800V 架构，这有望实现：
2023-01-20
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使用RX单片机实现数字电源控制的示例
作为使用RX单片机进行逆变器控制的应用，以UPS为例对基于MCU的电源控制可行性进行介绍。RX-T系列主要应用于空调室外机和工业逆变器，在逆变器控制领域享有盛誉。近年来，还广泛用于UPS、太阳能逆变器和EV充电器等电源控制应用中。本次以UPS电源控制应用为例，对基于MCU实现的电源控制进行介绍。UPS是一种具有以下三大功能的设备，是表现MCU控制电源基础功能的最佳设备。
2023-01-19
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满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块
本文提出了一种优化的ANPC拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合，实现成本效益。市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块，适用于高度紧凑型、高效率1500-V并网逆变器。新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下，可以实现输出功率达到200kW以上。此外，相应的P-Q图几乎呈圆形。这意味着，该功率模块适用于储能系统等新兴应用。
2023-01-10
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安森美的主驱逆变器碳化硅功率模块被现代汽车选中用于高性能电动汽车
2023年1月5日 —领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模块已被起亚（Kia Corporation）选中用于EV6 GT车型。这款电动汽车（EV）从零速加速到60英里/小时只需3.4秒，最高时速达161英里/小时。在该高性能电动汽车的主驱逆变器中，EliteSiC功率模块实现了从电池的直流800V到后轴交流驱动的高效电源转换。安森美会继续与现代起亚汽车集团（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，简称HMC/KIA）合作，将EliteSiC技术用于其即将推出的基于电动化全球模块型平台（E-GMP）的高性能电动汽车。
2023-01-05
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RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用
碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物，属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强，使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用，甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻，这是高压功率器件的关键因素。
2022-12-30
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