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打破陈规——将SiC FET作为断路器
由于低损耗和低于其他选择的成本，机械断路器一直以来都是成功之选。但是现在，宽带隙半导体让固态断路器更具吸引力。
2022-03-19
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贸泽与Molex携手推出全新电子书，介绍医疗设备创新设计
2022年3月18日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Molex携手推出全新电子书《Improving Lives with Digital Healthcare》（通过数字医疗改善生活），探索连接与医疗设备设计交叉领域的创新解决方案和应用。本书中，来自Molex和贸泽的行业专家通过多篇深度好文，探讨了新一代的数字医疗解决方案，包括机器人手术、医疗可穿戴设备、脑机接口，以及采用沉浸式技术的医疗培训。
2022-03-18
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ADI公司启动ADI Catalyst项目并向欧洲业务投资1亿欧元
中国，北京 – 2022年3月10日 – 全球领先的高性能半导体公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布将在未来三年内向ADI Catalyst创新合作加速器投资1亿欧元。ADI Catalyst位于爱尔兰利默里克Raheen商业园区，占地10万平方英尺。到2025年，该投资将为爱尔兰市场新增250个工作岗位，这也体现了ADI在欧洲持续投入的承诺。
2022-03-16
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使用最新的SiC FET技术提升车载充电器性能
碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。我们调查了这些封装选项的相对热性能，并证实了TO247-4L和D2PAK-7L选项可用于6.6 kW和22 kW充电器。
2022-03-15
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第4代SiC MOSFET为何备受青睐？
近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车（EV）领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的电控系统的效率已成为一个重要课题。SiC（碳化硅）作为新一代宽禁带半导体材料，具备高电压、大电流、高温、高频率和低损耗等独特优势。因此，业内对碳化硅功率元器件在电动汽车上的应用寄予厚望。
2022-03-14
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HT7181 3.7V/7.4V升16V内置MOS大功率升压IC解决方案
DC-DC升压电路在电子电路中是很常见的，无论是匹配不同器件的工作电压需要还是为了提高足够的输出功率，都必须用到升压电路。特别是便携式的电子产品，电源是电池供电，如单双节锂电、三节锂电或铅酸电池12V。通过DC-DC升压电路，升压后给其他电路供电。
2022-03-14
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贸泽电子配送中心配备超大规模垂直升降机模块
2022年3月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 持续加投其全球配送中心的先进自动化设备，进一步提升订单处理能力、准确性和速度，帮助客户进一步缩短产品上市时间。
2022-03-11
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贸泽2022 Empowering Innovation Together计划起航推出关于RISC-V的新播客
2022年3月11日 – 贸泽电子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其屡获殊荣的Empowering Innovation Together™（共求创新）计划的2022系列专题。今年的系列总共有六期，每一期重点讨论一项在主要行业转型中发挥关键作用的前沿技术。2022系列将提供各种及时而有见地的内容，如播客、视频、文章、博客和信息图，重点关注私人5G网络、自主移动机器人等技术趋势。
2022-03-11
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一个主观术语，它可以用许多你喜欢的方式衡量，但是在功率转换界，它归结为两个相互依赖的主要值，即效率和成本。现在，作为半导体开关材料，硅在导电和动态损耗性能方面已经到达了极限，这已经是一个常识了，因此越来越多的人考虑采用碳化硅和氮化镓宽带隙技术来实现更好的性能。这两种材料具有更好的介质击穿特性，从而可以打造更薄、掺杂更重、导通电阻更低的阻挡层，同时，更小的晶粒体积还可降低器件电容，从而降低动态损耗。
2022-03-10
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如何使用LTspice对复杂电路的统计容差分析进行建模
LTspice®可用于对复杂电路进行统计容差分析。本文介绍在LTspice中使用蒙特卡罗和高斯分布进行容差分析和最差情况分析的方法。为了证实该方法的有效性，我们在LTspice中对电压调节示例电路进行建模，通过内部基准电压和反馈电阻演示蒙特卡罗和高斯分布技术。然后，将得出的仿真结果与最差情况分析仿真结果进行比较。其中包括4个附录。附录A提供了有关微调基准电压源分布的见解。附录B提供了LTspice中的高斯分布分析。附录C提供了LTspice定义的蒙特卡罗分布的图形视图。附录D提供关于编辑LTspice原理图和提取仿真数据的说明。
2022-03-09
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图腾柱PFC在SiC FET的辅助下日渐成熟
在宽带隙半导体的辅助下，图腾柱功率因数校正技术日渐成熟，与损耗很低的SiC FET搭配使用后，发挥了全部潜力。
2022-03-07
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用SiC FET固态断路器取代机械断路器可行吗？
机械断路器损耗低，但是速度慢而且会磨损。采用SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低。
2022-03-06
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