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霍尼韦尔推出新型纳安级超低功耗磁阻传感器集成电路

发布时间:2014-05-27 责任编辑:willwoyo

【导读】霍尼韦尔日前宣布,在业内率先发布超低功耗磁阻传感器集成电路。这些传感器能耗极低,仅为360 nA,却能提供最高等级的磁灵敏度(典型应用低至7 高斯),相较于其他广泛应用的磁技术,新引入的传感器能为设计工程师带来许多优势。

新型纳安系列磁阻传感器集成电路的灵敏度及成本与磁簧开关相同,但外形更小巧、运行更持久、性能更可靠,十分适合蓄电池驱动装置。在此之前,因为低能耗要求及高气隙需求,人们只能选择磁簧开关。

相较于霍尔效应传感器,新型纳安系列磁阻传感器集成电路具有更高的灵敏度,其探测气隙距离的能力是霍尔效应传感器的2倍。更高的灵敏度不仅能提升设计灵活性,还能通过使用更小或更低强度的磁铁来减少应用成本。纳安系列磁阻传感器集成电路专为多种蓄电池驱动装置而设计,包括水表、煤气表、电表、工业烟雾警报器、健身设备、安防系统、手持式计算机、扫描仪、 大型家用电器(如洗碗机、微波炉、洗衣机、冰箱和咖啡机)、医疗设备(如病床、药物分发柜和输液泵)以及消费性电子产品(如笔记本电脑、平板电脑和无线扬 声器)。

霍尼韦尔传感与控制部亚太区战略市场总监王亮表示:“一方面,由于稀土磁铁价格的大幅上涨,原使用霍尔效应传感器的设计工程师们正通过减少使用磁性 材料或改用更普通的磁铁积极寻找降低总成本的方法;另一方面,为了缩减尺寸、提升质量和持久性,同时最大化电池使用寿命,设计工程师们不断探索替代磁簧开关的方法。霍尼韦尔新型纳安系列磁阻传感器集成电路应时而生,具备灵敏度高、功耗低等诸多特性,十分适合蓄电池驱动装置。”

霍尼韦尔传感器纳安系列有两种磁灵敏度:
超高灵敏度SM351LT:典型应用为7 Gauss,最高为10 Gauss,超低电流消耗(典型应用为360 nA)
高灵敏度SM353LT:典型应用为14 Gauss,最高为20 Gauss,超低电流消耗(典型应用为360 nA)

霍尼韦尔传感器新型纳安系列具有如下特性:
  1. 无需辨别磁极,全极性传感器可感知南极和北极,从而简化了安装程序并间接减低了系统成本;
  2. 推挽式 输出,无需外电路电阻,不仅更易于操作,同时降低了成本;
  3. 非斩波器稳态设计,能消除传感器发出的电噪声;
  4. 超小型SOT-23采用表面贴装技术,可 置于编带包装(每个编带3000片产品),并且比大多数磁簧开关小巧,不仅方便了自动化装配,还可降低产品成本。
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