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让电动汽车延长5%里程的SiC主驱逆变器
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 为缓解 OEM 的担忧同时提升 OEM 对这种成...
2023-11-12
SiC 逆变器 电动汽车
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能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块
随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。
2023-11-12
IGBT模块 马达驱动 应用
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专为智能汽车车身域打造的直流有刷栅极驱动IC
TMI8721-Q1是一颗驱动外部4个N沟通MOSFET的单通道全桥栅极驱动芯片。优秀的驱动能力，使其可驱动大部分MOSFET，特别适用于汽车座椅自动调节，后尾门撑杆，玻璃升降、天窗、遮阳帘、门窗、方向盘调节、侧滑门、电动踏板等电流偏大的场合。
2023-11-12
智能汽车 车身域 栅极驱动
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压...
2023-11-12
SiC MOSFET 器件特性
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了解 MOSFET 通态漏源电阻
分立 MOSFET 数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS (on)想法看起来非常简单：当 FET 处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当 FET 的栅源电压 (V GS ) 超过阈值电压 (V TH ) 时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通态漏源电阻
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中国电信韦乐平：光通信发展的新趋势思考
近日，在“中国电信战新共链行动大会暨第三届科技节”之“面向云网融合的下一代光网络新技术论坛”上，中国电信集团科技委主任韦乐平发表主题演讲。
2023-11-11
中国电信 光通信 趋势
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能为电视和显示器提供先进检测功能的60GHz毫米波雷达
60GHz 雷达传感器具有更短的波长和更多数量的发射和接收天线，可以准确检测室内人员（四人或更多人数）的存在、运动和位置。毫米波雷达可提供多种功能，例如监控多个区域以确定每个区域是否有人员存在并跟踪人员的移动。
2023-11-11
毫米波雷达 显示器 检测
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