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如何使用非耗散钳位提高反激式效率
在反激式转换器的标准形式中，变压器的漏感会在初级场效应晶体管 (FET) 的漏极上产生电压尖峰。为防止此尖峰变得过大和损坏，FET 需要一个钳位网络，通常带有耗散钳位，如图1所示。但是耗散钳位中的功率损失限制了反激式转换器的效率。在这篇电源技巧中，我将研究反激式转换器的两种不同变体，它们...
2023-02-20
非耗散钳位 反激式
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基于晶体管VBE 的振荡器测量温度
模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路集（夜班尿布和设计）第 7 页的电路之一。
2023-02-20
晶体管VBE 振荡器
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如何为电磁线圈仿真选择边界条件
在使用 COMSOL Multiphysics 中的 AC/DC 模块对线圈进行建模时，你是否需要考虑使用哪种类型的边界条件来截断建模域。在这篇文章中，我们将介绍可以使用的不同边界条件以及如何在它们之间进行选择。
2023-02-20
电磁线圈 仿真
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2023第十届世界雷达博览会、2023第三届“雷达与未来”全球峰会新闻发布会在京召开
2月17日上午，2023第十届世界雷达博览会、2023第三届“雷达与未来”全球峰会新闻发布会在京召开。中国电子科技集团副总经理杨军出席发布会并致辞。中国雷达行业协会、中国电子信息产业集团有限公司、北京市石景山区人民政府、中电科发展规划研究院有限公司、中电科技国际贸易有限公司等领导和嘉宾出席...
2023-02-20
世界雷达 智慧城市 数字交通 智慧农业 智能制造
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一文搞懂IGBT的损耗与结温计算
与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
IGBT 损耗 结温
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R-Car DNN模拟器的介绍
本篇文章我们将介绍瑞萨为R-Car V4H提供的三种类型的DNN开发模拟器，以及它们的使用情况和特点。
2023-02-20
R-Car DNN模拟器
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为什么逆导型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC电路
对于功率因数校正（PFC），通常使用升压转换器Boost拓扑结构。它可以最大限度地减少输入电流的谐波。同时IGBT是大功率PFC应用的最佳选择，如空调、加热、通风和空调（HVAC）以及热泵。
2023-02-20
逆导型IGBT CCM模式 PFC电路
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