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电源设计器件布局和布线要点
在电源设计中，精心的布局和布线对于能否实现出色设计至关重要，要为尺寸、精度、效率留出足够空间，以避免在生产中出现问题。我们可以利用多年的测试经验，以及布局工程师具备的专业知识，最终完成电路板生产。
2022-09-26
电源设计 布局
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如何设计最安全的CAN总线拓扑？
CAN总线的应用越来越广泛，工程师在各种不同工况下，如何选择最合适的网络拓扑方式呢？本篇文章将介绍主流的几种总线拓扑方式，以及如何解决CAN总线故障。
2022-09-23
CAN总线 拓扑
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在电机旋转的世界里，如何探索出一种更优雅的运动姿势？
从中国大唐王朝盛行的胡旋舞，到今天全球共赏、倾倒世界几个世纪的芭蕾舞，旋转都是舞蹈美学与艺术的重要组成部分。舞者衣袂飘飘，旋转中姿态万千百媚竟生，提高了整个舞蹈的审美性、观赏性。舞者的旋转让这个物理世界的基本运动状态带来艺术的升华。现代科学对旋转运动的研究，则为动力学和运动学...
2022-09-23
电机旋转 ADI
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整流电容滤波负载实例
六期连载，整流电路AC/DC变换应用非常广泛，其中二极管整流在电机驱动中是主流的方案，而且功率范围很广，所以了解二极管整流工程设计非常重要。
2022-09-23
整流 电容滤波 负载
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功率放大器模块及其在5G设计中的作用
许多射频设计人员都对 Franklin Douglass 的名言深有同感：“没有斗争就没有进步。”在为 5G 进行设计时，尤其如此。科技有望改变无线通信，但也会带来设计难题。利用功率放大器模块 (PAM) 来化解。以下是你需要知道的一切。
2022-09-23
功率放大器 模块 5G
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什么是dV/dt失效
如下图（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的电位差就越大，寄生双极晶体管越容易导通，从而越容易发生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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什么是雪崩失效
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时，自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离，从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩式增加的现象称为“雪崩击穿”。在这种雪崩击穿期间，与 MOSFET内部二极管电流呈反方向流动的电流称为“雪...
2022-09-22
MOSFET 失效机理 雪崩击穿
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