汽车电子-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

汽车电子

用于SiC MOSFET的隔离栅极驱动器使用指南

SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及，因为它最初的一些可靠性问题已得到解决，并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多，必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件...

2023-07-26

SiC MOSFET 隔离栅极驱动器

全集成汽车USB Type-A和USB Type-C充电器控制芯片

汽车中控系统通常都会提供一个 USB 充电端口，该端口需要在传输数据的同时为移动设备充电。对这些系统而言，选择带 USB 限流开关的汽车级 IC 非常重要。本文将介绍 MPS 的 USB 充电端口降压变换器 MPQ4228-C-AEC1，以及如何将其高效率的优势应用于 USB 集线器和其他 USB Type-C 、USB Type-A 应用中。

2023-07-25

USB Type-C 充电器控制芯片

借助更多的选项响应正反馈

负反馈什么时候会变成正反馈？当控制工程师想要实现不错的增益和相位裕度时。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何为设计人员提供理想性能和多种器件选择，同时支持更高的设计灵活性，从而实现成本效益最优的功率设计。

2023-07-24

SiC FET 正反馈

华润微总裁李虹：中国半导体市场下滑趋势有到底迹象！

6月17日，在广州南沙召开的第二届中国•南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）上，国内IDM大厂华润微（SH688396）总裁李虹在演讲中表示，中国半导体市场规模在过去的一年当中，增速弱于全球，呈现周期性衰退，但下滑趋势有到底迹象。

2023-07-24

华润微中国半导体市场下滑

工程师必须知道的大电流单通道栅极驱动器设计技巧

NCD(V)5700x 是大电流单通道栅极驱动器，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。其特性包括：互补输入（IN+ 和 IN-），开漏故障（1686908889869977.png）和就绪 (RDY) 输出，复位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去饱和保护 (DESAT)，去饱和...

2023-07-21

栅极驱动器设计技巧

百度智能云AI技术加身，自动驾驶量变到质变倍道兼行

当前，自动驾驶技术的发展可谓日新月异，不过离最高级别还相去甚远。2022年，自动驾驶行业在喜忧参半中前行，一方面，众多自动驾驶公司估值缩水、裁员倒闭，高级别自动驾驶技术商业化落地尚需时日；另一方面，国内自动驾驶利好政策密集出台，首次实现立法突破，自动驾驶测试区不断增加。

2023-07-20

百度智能云 AI 自动驾驶

深度剖析IGBT栅极驱动注意事项

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。

2023-07-20

IGBT 栅极驱动注意事项

贸泽电子第六次斩获Molex年度全球优质服务代理商奖

2023年7月19日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) ，宣布荣获全球电子产品知名企业和连接创新者Molex颁发的2022年度全球优质服务（目录）代理商奖。这也是贸泽第六次斩获这一全球知名奖项，贸泽凭借2022年度全球客户数大幅增长，以及增...

2023-07-19

贸泽电子 Molex

高层专访 | 感知未来，照亮世界，艾迈斯欧司朗的稳健前行

自ams于2019年宣布收购OSRAM并成立艾迈斯欧司朗集团（ams OSRAM）以后，这家光学解决方案的全球领导者就稳步发展，“传感即生活”也一如既往地成为这家光学巨头的发展愿景。

2023-07-19

艾迈斯欧司朗传感器

首页上一页 39 40 41 42 43 44 45 46 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索