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大师手笔：推挽逆变器中变压器漏感尖峰有源钳位处理
功率推挽电路的尖峰问题，好比电子领域的“牛皮癣”，属于很难治的疑难杂症。大师级牛人从原理出发分析了在推挽逆变器中两开关管漏极产生尖峰的原因，创意性的提出有源钳位的改进方法，并在实际应用中得到验证是可行的，相比于传统推挽逆变器，极大地提升了性能、效率和稳定性。
2013-08-15
逆变器 变压器漏感尖峰 推挽电路
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【拆解】变频器IGBT模块拆解学习
都知道IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。笔者此次从变频器中拆得一个IGBT模块，估计看过的人不多，特拿来与大家分享学习。
2013-08-15
变频器 IGBT 拆解
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常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
IGBT以及MOSFET器件栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和关断时需要一定的动态驱动功率。更由于漏极到栅极的密勒电容Cdg，栅极驱动功率往往是不可忽视的。本文盘点了常用的几种隔离驱动技术，供大家参考。
2013-08-15
IGBT 驱动 驱动器 隔离驱动
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四大步骤教你轻松选对MOSFET
作为电气系统的基本部件，MOSFET的选择是否正确经常对整个设计是否成功起着关键作用。针对特定设计，如何才能选择正确的MOSFET？了解MOSFET的类型和重要性能特点似乎必不可少……跟着本文四大步骤走，MOSFET的选择不再是难题！
2013-08-14
MOSFET MOSFET类型 MOSFET选择 MOSFET性能
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福创西部论坛：供应和技术盛宴助力西部产业升级
2013年8月14日,西安－8月西安将迎来欧洲最富盛名的福创技术论坛(Fortronic)。为助力西部产业升级和加快中国创新设计的进程。福创西部论坛(Fortronic) 将于8月28日－8月30日西安高新区－西安志诚丽柏酒店举办三天的论坛包括中国电子分销商领袖峰会，无线技术和智能手机设计工作坊，电力电子与电源管...
2013-08-13
福创西部论坛
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第二届EPLAN 杯电气工程设计大赛火热进行中
自今年5月份第二届EPLAN杯电气工程设计大赛开赛以来，活动得到了广大工程师们积极的响应与参与。尤其是在今年持续高温的情况下，工程师们对于参加第 二届EPLAN杯电气设计大赛的热情只增不减。截止8月份统计，本届设计大赛报名人数突破了一千人，提交作品超过40篇。
2013-08-13
电气工程
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隔离驱动IGBT功率器件设计技巧八大问
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
IGBT 功率器件 IGBT保护
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IGBT电路保护新方法：将稳压管换为新型TVS
目前IGBT基本都采用粗放式的设计模式——所需余量大系统大，但无法抵抗干扰和失效问题。如何突破传统的保护方式，进行IGBT系统电路保护设计？本文对传统IGBT失效防护进行改进，使用新方法进行IGBT失效防护和栅极过电压、过电流防护。
2013-08-13
IGBT电路保护 IGBT IGBT电路防护
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2013首届工业信息安全用户高峰论坛在京成功举办
聚焦工控信息安全管理 促进工业行业健康持续发展2013首届工业信息安全用户高峰论坛今日在北京成功举办，会议以“加强信息安全管理 促进工业行业发展”为主题。在信息化和工业化深度融合趋势下，加强工业控制系统信息安全显得尤为重要。为推广工业信息安全相关的知识、产品和技术，教育并完善工业控制系统信息安全市场，同时，为辅助政府部门制定工业...
2013-08-12
工业信息
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