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仅有120ns最大传播延迟的门驱动光电耦合器
近日，Avago Technologies推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。相较于Avago前一代产品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在传播延迟...
2013-05-15
光电耦合器 传播延迟
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电源转换新时代的来临：IR开始商业装运GaN器件
IR在业内率先商业付运可大幅提高现有电源转换系统效率的GaN功率器件，预示着电源效率革命性改善新时代的到来。相比当今最先进的硅功率器件技术，氮化镓技术平台能够将客户的电源应用的性能指数(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 电源转换
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硅功率MOSFET前景堪忧？
30年前硅功率MOSFET的出现使市场快速接受开关电源，硅功率MOSFET成为很多应用的必选功率器件。近些年来，MOSFET不可避免地进入到性能瓶颈期；然而与此同时，增强型GaN HEMT器件在开关性能和整个器件带宽有突破性改善，迅速占领市场。硅功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗？
2013-05-15
MOSFET 电源转换 GaN
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IGBT在太阳能应用中的高能效设计
对于太阳能逆变器来说，绝缘栅双极晶体管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太阳能 逆变器 高能效
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第三讲：基于MOSFET的高能效电源设计
通过结合改进的电源电路拓扑和概念与改进的低损耗功率器件，开关电源行业在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在经历革新性发展。MOSFET是中低电压电源应用的首选功率器件，可以提高沟槽密度，并无需JFET阻抗元件，因此能够使特征导通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量损耗，极大的提高了电源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 电源
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EMC领军企业挥师西部 大举抢占军工、航天、通信市场 ——直面中国制造业向西部的战略转移，先入为主，占领中国西部市场！
“ 中国(西部)EMC应用技术展”是电磁兼容技术面向航天、军工、通信领域的国际盛会。 成都，中国西部大开发的龙头城市，中国重要的基础电子装备基地、航天、军品电子中心。
2013-05-13
EMC
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中国电子展助力西部——中国电子展6月亮相成都 全面展示工业和军工电子技术解决方案
电子信息是成都第一支柱产业之一。四川电子信息产业是一极一基地四带多园区，其中“一极”即是成都。在这里，电子信息产业产值在全省占50%左右，软件占90%以上。始于英特尔来蓉、富士康、仁宝、纬创、德州仪器等世界IT巨头纷至沓来……眼下，世界500强企业中超过40家电子类企业来蓉布局，全球软件20强中...
2013-05-13
中国电子展
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西部电子行业发展前沿 参观注册好礼相送
2013年6月20—22日，中国电子展（CEF）系列展览之一的“2013中国（成都）电子展” (www.icef.com.cn )将在成都世纪城新国际会展中心召开。在20000平方米的展厅中，将汇集国内外的600余家领军企业参展，12场专业研讨会和高峰论坛。
2013-05-13
西部电子
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中国电子展6月亮相成都 展示面向工业应用和军工的电子技术解决方案
成都是西部电子行业的重镇，全国重要的基础电子装备基地，在工业电子、新能源、嵌入式、航空航天、国防等领域有深厚的技术积累和人才储备，近年来在西部大开发战略的推动下，西部电子行业已经形成有自己独特需求特征的、潜力巨大的市场。
2013-05-13
中国电子展
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