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高频电路的电磁兼容设计误区分析
电磁兼容的问题常发生于高频状态下，个别问题（电压跌落与瞬时中断等）除外。高频思维，总而言之，就是器件的特性、电路的特性，在高频情况下和常规中低频状态下是不一样的，如果仍然按照普通的控制思维来判断分析，则会走入设计的误区。
2011-11-11
电磁兼容 EMC 高频特性 高频
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研究高性能新型器件，助力新兴市场应用
——顺络电子参加第十届电路保护与电磁兼容技术研讨会电路保护专业技术与解决方案供应商深圳顺络电子股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中国电子展组委会和China Outlook Consulting联合举办的第十届电路保护与电磁兼容技术研讨会。
2011-11-11
电路保护 电磁兼容 EMC EMI 顺络电子
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钱振宇教授技术讲座：深度解读EMI/EMC新国标
——钱振宇教授参加第十届电路保护与电磁兼容技术研讨会国内知名EMC专家钱振宇教授于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中国电子展组委会和China Outlook Consulting联合举办的第十届电路保护与电磁兼容技术研讨会。
2011-11-11
电路保护 电磁兼容 EMC EMI
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提升LED照明电路保护高可靠性设计
——AEM科技参加第十届电路保护与电磁兼容技术研讨会电路保护专业技术与解决方案供应商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中国电子展组委会和China Outlook Consulting联合举办的第十届电路保护与电磁兼容技术研讨会。
2011-11-11
电路保护 电磁兼容 EMC EMI AEM科技
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Vishay发布采用SurfLight表面发射器技术的850nm红外发射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装，占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驱动电流、发光强度和光功...
2011-11-11
VSMY7852X01 VSMY7850X01 Vishay SurfLight 红外发射器
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LED驱动设计5大关键点
这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电...
2011-11-11
LED驱动 开关损耗 功率管 导通
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LDO的功耗和压差分析
便携产品电源设计需要系统级思维，在开发由电池供电的设备时，诸如手机、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗产品，如果电源系统设计不合理，则会影响到整个系统的架构、产品的特性组合、元件的选择、软件的设计和功率分配架构等。
2011-11-11
LDO MOS管 恒流源 调整元件
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提高RF_PA效率的技术比较
在向着4G手机发展的过程中，便携式系统设计工程师将面临的最大挑战是支持现有的多种移动通信标准，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA，与此同时，要要支持100Mb/s～1Gb/s的数据率以及支持OFDMA调制、支持MIMO天线技术，乃至支持VoWLAN的组网，因此，在射频信号链设计的过程中，如何降低射频...
2011-11-11
射频功率放大器 效率 SiGe工艺 CMOS工艺
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测量小阻值电阻的辅助电路
实际工作中，为分析电路原理，在根据实物绘制电原理图时，往往需要测出小阻值电阻的实际阻值，比如高档开关电源中用于检测负载电流的康铜电阻(一般为毫欧级)，过流保护用的大功率小阻值电阻(有些达到0.1Ω以下)，大功率功放电路中与电流放大管(E极或s极)串接的反馈电阻(一般为零点几欧姆)。由于普通...
2011-11-11
阻值 电阻 辅助电路 放大电路
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