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能源电力

大功率UPS无变压器设计技术

采用无变压器设计的UPS,虽然增加了逆变器的中线桥臂以及电池充放电转换器,但与减少的磁性元件相比,总体来说成本降低了,并且减少了UPS的体积和重量,其重量是传统UPS的50%或更低,占地面积为原来的60%,不需要后面和侧面接线维修。

2009-07-10

无变压器 UPS大功率UPS IGBT ABM技术

冗余式UPS技术发展趋势

UPS自20世纪60年代问世以来，在全世界范围内得到了广泛地推广和应用。由于传统单机UPS存在诸多弊端，冗余式UPS逐渐得到了发展，其技术革新一直倍受关注。本文针对冗余式UPS发展的必然性，介绍冗余式UPS技术的未来发展趋势。

2009-07-10

ups 冗余式UPS 高频链技总线互联

低温共烧陶瓷技术（LTCC）新进展

在本次创新大奖评选中，本土元器件和材料的创新项目表现抢眼，共有7个项目获奖，令人振奋！这些项目对加快产业调整振兴规划的中国电子元器件产品升级目标将起到重要推动作用。而清华大学完成的“高性能低温共烧陶瓷（LTCC）材料”是唯一一项获得一等奖项目。新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室是我国新...

2009-07-10

低温共烧陶瓷技术 LTCC CEF

风华高科再现风华

广东风华高新科技股份有限公司的“贱金属Ni内电极高压片式多层陶瓷电容器及抗还原陶瓷材料的开发与产业化”项目荣获2008年度中国电子学会电子信息科学技术奖三等奖。《中国电子商情》记者采访了广东风华高新科技股份有限公司冠华分公司副总唐浩，以下为采访纪要。

2009-07-09

风华高科多层陶瓷电容器抗还原陶瓷材料

通过功率MOSFET的顶面温度估算结点温度

通常，MOSFET数据手册中提供的结点温度数据只限于结到引脚和结到环境之间的热阻。虽然可根据定制条件使用一些工具来实现更精确的热仿真，但有时只需要时间来运行仿真就可以了。

2009-07-09

功率MOSFET MOSFET 结点温度

未来电源发展的架构

近年电子及数据产业的发展及分布式供电系统的推广，DC-DC转换器的应用越来越广，新的微处理器、记忆体、DSP及ASIC都趋向要求低电压、大电流供电。面对新世代的电子器件和负载，电源业要面对重大的挑战，产品除了能在低电压输出大电流外，还要做到体积小、重量轻、动态反应快，噪声小和价钱相宜。这...

2009-07-09

CPA DPA

开关变压器第六讲导磁率的测量计算

在测试变压器铁芯导磁率的时候，一般都是通过测试变压器线圈电感量的方法来测试变压器铁芯的导磁率；这种测试方法实际上就是测试电感线圈的交流阻抗;然而用来代表介质属性的导磁率并不是一个常数，而是一个非线性函数，它不但与介质以及磁场强度有关，而且与温度还有关。导磁率所定义的并不是一个简...

2009-07-08

开关变压器导磁率

首尔半导体和台湾广镓合资建新公司

广镓将投资200万美元与韩国首尔半导体及子公司Seoul Optodevice（SOC）合资成立新公司。新公司定位为销售公司，主要负责海外接单为主，广镓占新公司49％股权，预计下半年成立。

2009-07-08

LED封装 SOC LED芯片 SSC

Vishay推出1280G、1285G系列AccutrimTM微调电位器

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款Bulk Metal®箔超高精度AccutrimTM微调电位器 --- 1280G和1285G。

2009-07-08

1280G 1285G TCR 微调电位器

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