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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度变频器ACS180系列

发布时间:2022-09-14 来源:英飞凌 责任编辑:wenwei

【导读】变频器是各行业中至关重要的节能设备,ABB传动一直致力于用先进的产品和技术,创新的解决方案为客户创造价值,提高生产效能水平,助力变频器产业升级。


ACS180紧凑型变频器是ABB北京设计的最新一代变频器产品,它体积小巧,使用方便,稳定可靠,应用广泛,具有很高的性价比,是各种紧凑型设备的可靠之选。


ACS180 400V电压等级的R0至R2框架均使用了来自英飞凌的IGBT7技术。以ACS180-04x-17A0-4型号为例,得益于新技术的应用,其功率密度再上一个台阶。


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ACS180-04x-17A0-4变频器主要参数


变频器尺寸: 202mm(高度)x120mm(宽度)x143mm(深度),大大低于友商同功率的同类产品。


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额定电流IN=17.0A(连续输出时的额定电流);


PId=7.5kW,ILD=16.2A(每10分钟可承受1分钟110%过载) ;


Phd=5.5kW,IHD=12.6A(每10分钟可承受1分钟150%过载);


Imax=22.7A (启动时可输出2秒钟)。


用做5.5kW重载应用时,工作的环境温度为50℃以下无需降额, 90%额定电流可运行在60℃。且内部集成满足IEC61800-3(可调速电力驱动系统.第3部分:电磁兼容性(EMC)要求和特定试验法)的C3等级的EMC滤波器。


ACS180是如何做到“小身材,大能量”的呢?这得益于不断发展的IGBT技术。


IGBT是变频器实现电能转换的核心元件,它仿佛一双强有力的手,控制着电流的开通,和关断。如果这双手臂力气大,消耗少,无疑将会大大减小变频器的体积,增加变频器的效率。


此款ACS180采用的IGBT是FP25R12W1T7,这是一款1200V/25A的IGBT模块,芯片采用的是英飞凌最新一代IGBT7技术。与目前市场上主流的IGBT4技术不同,IGBT7采用更加精细化的MPT微沟槽栅技术,沟道密度更高,芯片厚度更薄,元胞结构及间距也经过精心设计,并且优化了寄生电容参数,从而实现5kv/us下的最佳开关性能。


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在现代功率半导体器件中,提高开关速度、开关频率和功率密度是大势所趋。然而,由于不同具体应用对器件性能需求有差异。就电机驱动应用特性而言,由于电机和电缆的固有隔离,开关斜率(dv/dt)通常被限制在2-10kV/μs的范围内,典型目标为5kV/μs。此外,用户采用的典型开关频率(fSW)也低于8kHz。这意味着,对电机驱动而言,降低静态损耗成为了功率半导体的发展重点,快速开关和高开关频率需求的重要性有所减弱,开关损耗变得次要了。针对上述需求,IGBT7进行了精心的优化。主要体现在:


01 更低损耗


因为更薄的芯片厚度和优化的载流子分布,IGBT大幅降低了器件的损耗,饱和压降相比IGBT4降低了20%,例如FP25R12W2T7的Vce(sat)@25℃仅有1.6V,同时关断损耗仍旧与IGBT4维持在同一个水平。如下图所示,T7相比前代器件而言,其折衷曲线进一步逼近理想原点。


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02 可调dv/dt


不同于IGBT4等主流器件,IGBT7里的沟槽有多种形式:其中最常见的是作为有源栅极使用。其次,MPT结构还能够实现发射极沟槽和伪栅极,两者都是无效沟槽。这三种沟槽的数量决定了IGBT7的可控性,使得开通和关断的dv/dt在很大范围内都可以通过门极电阻进行调节,并且在变频器典型dv/dt范围内(2-10kV/μs),实现最低的损耗。


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03 175°C最大工作结温


基于优化功率模块设计,IGBT7将暂态的最高允许结温(Tj)提高至175°C时,比IGBT4提高了25℃,能够满足实际应用的过载运行需求。过载工况定义如下:


●   持续工作结温 Tj ≤ 150 °C

●   重复过载结温 Tj ≤ 175 °C ,过载时间 t1 ≤ 60 s

●   过载占空比 D=t1/T ≤ 20%


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由此我们可以看到,IGBT7能给变频器带来如下益处:


提升逆变器的输出电流


IGBT7极低的饱和导通电压,意味着使用相同规格的IGBT4与IGBT7时,使用IGBT7的逆变器损耗更低,从而能输出更大的电流;或者采用比IGBT4模块规格更小的IGBT7模块,使逆变器输出相同的电流。


如下图所示,25A Easy2B的IGBT7可以比25A Easy2B的IGBT4提升35%的输出电流,而25A Easy1B的IGBT7也可以比25A Easy2B的IGBT4提升16%的输出电流。


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提升逆变器的功率密度


IGBT7的损耗低,结温高(过载结温最高175℃),因此可以大大的减少散热器的尺寸。以典型条件的对比,25A Easy2B的IGBT7能够比25A Easy2B的IGBT4减小40%的散热器体积。


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 “ 

从穿通型IGBT到场截止型IGBT,从平面栅到沟槽栅,又从沟槽栅到精细化沟槽栅,一代又一代不断优化 IGBT助力变频器实现更低功耗与更小体积,追求低碳高效的路上我们从不停歇,让我们同生活,共未来。


作者:英飞凌集成电路(北京)有限公司:赵佳,北京ABB电气传动系统有限公司:  贾一然,李君峰



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