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如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战
在本文的第一部分——《如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战》，我们提到尺寸和功率往往看起来像硬币的两面。当你缩小尺寸时，你不可避免地会降低功率。在那篇文章中，我们介绍了芯片缩小对热性能的影响，以及如何通过优化芯片位置和模块布局来减轻这种影响。现在，让我们来看看...
2023-04-10
模块布局 芯片 电气性能
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RS-485基础知识：何时需要端接，以及如何正确端接
RS-485 网络的许多信号完整性和通信问题都源于端接，这可能是因为缺少端接或端接不正确。在 RS-485 基础知识系列的这一部分，我将讨论何时不需要端接 RS-485 网络，以及在需要端接时如何使用标准（并联）端接和交流电 (AC) 端接网络。
2023-04-07
RS-485 端接
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不劳开发固件了！用这个控制器可实现USB-C PD 3.0 PPS
更大的显示屏、更强的性能和更高的数据吞吐量是 5G 智能手机的发展趋势，它推动了对更大电池容量和快速充电能力的需求。如何突破传统的充电方式是设计者面临的挑战，因为传统充电方式效率低下，而消费者对快速充电的期望又越来越高，所以在满足这一需求的功率水平下就可能会导致发热过度。
2023-04-07
控制器 USB-C PD 智能手机
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如何通过改进IGBT模块布局来克服芯片缩小带来的热性能挑战
尺寸和功率往往看起来像是硬币的两面。当你缩小尺寸时--这是我们行业中不断强调的目标之一--你不可避免地会降低功率。但情况一定是这样吗？如果将我们的思维从芯片转移到模块设计上，就不需要抛硬币了。
2023-04-06
IGBT模块 布局 芯片
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低成本无刷直流电机控制MCU
电机对能耗的贡献率在美国接近50%，因此降低电机能耗能有效地提高能源利用率，而采用先进的微控制器（MCU）技术来实现电机控制是一种有效的方法。本文介绍了的电机控制MCU技术发展及其应用。
2023-04-04
无刷直流电机 电机控制 MCU
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并联稳压器缓解电源启动问题
电阻器 R一个 通过 RD、并联稳压器 IC1，二极管 D1和晶体管 Q1 构成低负载串联通调节偏置电源。选择这些元件以产生 Q 的电压1 落在 IC 之间的发射器1的关断电压和整流辅助偏置绕组输出产生的标称电压 VAUX_NOM.实际上，IC上的电压1的 V抄送 引脚以有线或方式跟随，以较高者为准：VAUX_NOM 或晶体管Q...
2023-04-04
并联稳压器 电源启动
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阻抗频率特性与敲击信号
在昨天，通过扫频的方法分别测量了两个动圈式扬声器在不同频率下的阻抗。 两个扬声器中小型扬声器， 直流阻抗为4欧姆。 另外一个是大型低频扬声器，直流电阻为8欧姆。 前天，通过施加阶跃电压测量了扬声器单位冲激响应信号。 通常情况下， 扬声器可以看成一个近似线性时不变系统。 它的单位冲激响应...
2023-04-04
阻抗 频率特性 敲击信号
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详解高效散热的MOSFET顶部散热封装
电源应用中的 MOSFET 大多是表面贴装器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封装。通常选择这些 SMD 的原因是它们具有良好的功率能力，同时尺寸较小，从而有助于实现更紧凑的解决方案。尽管这些器件具有良好的功率能力，但有时散热效果并不理想。
2023-04-03
MOSFET 散热 封装
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基于碳化硅的25kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格
随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加。预测未来五年的年复合增长率 (CAGR) 为20%至30%。如果您是在电力电子领域工作的一名应用、产品或设计工程师，迟早会参与到这新的充电系统的设计中。
2023-04-03
SiC 电动汽车 直流快充
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