电路保护-技术中心-电子元件技术网

电路保护

设计技巧：RF电路与天线的EMC设计

电磁干扰在电子系统与设备中无处不在，因此如何使电子系统与设备满足电磁兼容（EMC）的要求是一项关键技术。随着射频和微波领域的高速发展，工程师们也越来越关注RF电路设计技巧…

2013-07-10

RF 电磁干扰 EMC 干扰射频

很贵很脆弱？数字逻辑器件的保护该这样做！

中间电源总线上输入浪涌、在制造过程中混入水货或假冒电容器……总是很容易使昂贵的新型数字处理器面临过压风险，甚至使 FPGA、ASIC 或微处理器遭受永久性损坏或起火。不想遭遇这些损失？本文教你一个简单的方法。

2013-07-05

数字逻辑器件保护器件保护电路保护

如何使用数字隔离器简化隔离系统设计

工业环境中的测量器件往往需要进行隔离以确保安全。利用数字隔离器，可以优化隔离系统设计、降低功耗、保证系统性能，同时无需借助额外的设计裕量来补偿缺失或不完整的器件规格。本文将介绍使用数字隔离器进行隔离测量仪器的设计。

2013-07-03

隔离隔离器隔离系统数字隔离器

SiC和GaN，新兴功率器件如何选？

新兴的SiC和GaN功率器件市场未来10年预计增长18倍，主要需求市场是电源、光伏逆变器和工业电机驱动。SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。他们谁会成为未来新兴功率器件市场的主角？我们现在应该选用他们吗？

2013-06-19

功率器件 SiC BJT SiC

巧避两大因素，延长CMOS使用寿命

对于模拟CMOS而言，有两大主要危害，其一是静电，其二是过压。因此，要做好CMOS的保护，就需从这两大主要因素入手，避免错误地使用CMOS，从而延长CMOS的使用寿命。本文将介绍该如何有效应对这两大危害。

2013-06-19

CMOS 电路 CMOS器件静电过压

保护LED免受EOS损伤的两大防护方案对比

LED 器件很容易受到EOS的损伤，这种损坏有时能够直接击坏器件造成失效。本文讲到的两种EOS防护方案，一是用TVS稳压管来进行保护，另一种则是采用PolyZen系列元器件，两种方案孰优孰劣？请看下文。

2013-06-18

EOS LED 电路保护保护器件 PolyZen

防止锂离子电池组短路新方法

锂离子电池存在短路风险，而对于动力电池组而言，其多达几百甚至上万节的锂离子电池更是大大增加了其发生短路的概率，而一旦短路将极易导致恶性事故的发生，因此做好锂离子电池组短路保护十分重要且必要。

2013-06-07

电池短路锂离子电池

能降低成本的三端并联稳压器

在电源变换器设计中往往使用价格较高的传统运算放大器，而本文主要通过实例说明怎样用一个较之廉价的三端并联稳压器去实现同样的功能。

2013-06-01

并联稳压器 TL431 三端稳压器

基于TE mini array 的ESD防护设计

IC的集成度越来越高，但唯独 ESD 防护功能无法集成，却变得更为敏感。因此对于IC的ESD防护也十分重要且必不可少。本文将讲解基于TE的ESD静电防护产品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防护设计。

2013-05-23

ESD TE 静电防护 USB

首页上一页 355 356 357 358 359 360 361 362 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索