AI&IoT-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

AI&IoT

电子元器件：终端市场未来价格压力加大

半导体：08年上半年国内集成电路产业收入增长10.4％，增速创近5年来的新低，2007年全球分立式功率器件和模块市场增长9.3％，未来五年年均增长8-9％。

2008-09-24

分立式功率器件元器件

中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点

在中国中，电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT销售额虽然不大，但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多，其市场销售额保持着较快的增长，是中国功率器件市场中的新兴产品。

2008-09-24

MOSFET 电源稳压器管理IC IGBT

带微处理器的继电器将会迅速发展

随着微型和片式化技术的提高。继电器将向二维、三维尺寸只有几毫米的微型和表面贴装化方向发展；现在国际上有些厂家生产的继电器，体积只有5～10年前的1/4～1/8。因为电子整机在减小体积时，需要高度不超过其它电子元件的更小的继电器。

2008-09-24

继电器

带微处理器的继电器将会迅速发展

2008-09-24

继电器

带微处理器的继电器将会迅速发展

2008-09-24

继电器

Epson Toyocom开发出高性能的水晶绝对压力传感器

Epson Toyocom公司开发出小型，高性能的水晶压力传感器，采用独创的QMEMS技术制造出的压力传感结构，以此开发出具有±10帕（约一万分之一气压）的高精度与0.1帕的高分辨能力的高性能且体积为12.5ml、重量为15g的小型水晶绝对压力传感器。

2008-09-24

压力传感器

SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管

Vishay目前宣布，推出业内首款采用具顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管，该可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装，可提升高电流、高频运用的效率。

2008-09-24

SiE726DF MOSFET 肖特基二极管

EMI滤波器设计原理

电网噪声干扰日益严重并形成一种公害，EMI 滤波器是近年来被推广应用的一种新型组合器件，它能有效抑制电网噪声，提高电子仪器、计算机和测控系统的抗干扰能力及可靠性。本文详细阐述了EMI滤波器的设计原理、典型应用及测试方法。

2008-09-24

EMI滤波器电磁干扰电源噪声测试插入损耗

EMI滤波器设计原理

2008-09-24

EMI滤波器电磁干扰电源噪声测试插入损耗

首页上一页 1927 1928 1929 1930 1931 1932 1933 1934 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

电子元器件：终端市场未来价格压力加大

中国功率器件市场增速放缓MOSFET是亮点

带微处理器的继电器将会迅速发展

带微处理器的继电器将会迅速发展

带微处理器的继电器将会迅速发展

Epson Toyocom开发出高性能的水晶绝对压力传感器

SiE726DF：Vishay首款双面冷却30V功率MOSFET和肖特基二极管

EMI滤波器设计原理

EMI滤波器设计原理

友情链接(QQ：317243736)