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OLED电源设计

OLED具有自发光、超薄等优势成为DSC、掌上游戏机或手机等产品的理想选择，这些产品都极具发展前景。总之，技术与市场潜力是一个产业成长的关键因素。在技术上，国内OLED厂商的努力已相当受到肯定，若能进一步提升品牌效应、产品定位上的实力，必将在逐步起飞的OLED产业中立定卓越的地位。

2008-09-29

oled vdd vss mosfet

DC-DC变换器AVP控制方法的分析

随着VRM输入容量的越来越大和动态要求的越来越严格，AVP控制在VRM中的应用被人们重新认识。本文对AVP控制策略的有源法和无源法进行了理论分析，并采用一种新式检测方法实现AVP控制,并通过比较实验证实了AVP控制方法的优越性。

2008-09-29

电压调整模块降压控制有源法无源法

EMI及无Y电容手机充电器的设计

本文介绍了与EMI传导相关的共模及差模电流产生的原理以及静点和动点的概念，然后详细地说明了在变压器结构中使用补偿设计以及静点和动点的调整方法，以提高EMI的传导性能。最后给出了相应的实验波形和测试结果。

2008-09-29

传导干扰共模电流差模电流 Y电容

霍尔效应技术提供紧凑型电流测量传感器

NANALEM K.K公司的HX传感器很好地克服了传统测量电流方法中的缺点，并且满足了在成本很尺寸上的要求。HX传感器的核心是一个霍尔效应发生器，对关键噪声具有完美免疫力，在并排安装在三相应用中时，HX电流传感器引起的相互干扰非常小。

2008-09-29

HX系列霍尔效应噪声干扰

基于感应耦合比率臂的高精度位移测量系统

本文讨论了比率测量方法的优点，介绍了运用感应耦合比率臂和差动式电容位移传感器设计的高精度微小位移测量系统。给出了一种实验系统的设计例子和主要的测试结果，说明了该设计在小位移测量中的有效性。

2008-09-29

位移测量感应耦合比率臂电容传感器纳米测量

电源应用中场效应晶体管的崩溃效应

在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。此篇文章可带领各位去判断何种条件下对场效应晶体管所造成的影响 , 进而帮助设计者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡点。

2008-09-29

场效应晶体 UIS 接合面过压

电源应用中场效应晶体管的崩溃效应

2008-09-29

场效应晶体 UIS 接合面过压

一种智能化电源的设计

随着电子技术和电源技术的发展，开关电源以体积小、重量轻、功率大、集成度高、输出组合便利等优点而成为电子电路电源的首选。在实际的工作环境中，特别是在一些工业场所中，电磁环境十分恶劣，常常有异常情况出现，本文对以微处理机为核心的“透明”电源检测技术辅以提高开关电源抗过电压、抗干扰性...

2008-09-29

开关电源过电压监测 MODBUS 通信

基于多传感器数据融合的漏磁信号采集与处理

漏磁检测以其高信噪比、高灵敏度和高检测效率，在无损检测中得到了广泛应用。随着科学技术的发展，传统的信号处理方法越来越不适应现代工业的需要，提出一种基于多传感器数据融合技术的漏磁信号处理方法。采用小波去噪的方法，并利用径向基函数（RBF）神经网络的数据融合技术对缺陷信号进行检测处理...

2008-09-29

漏磁检测多传感器技术数据融合小波去噪 RBF神经网络

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