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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辩率 Z 箔音频电阻

日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音频电阻，该电阻采取特殊设计，可增加信号清晰度。当温度范围在 -55°C 至 +125°C 时，该器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散热产生的 ∆R）、0.01% 的绝对容差且电流噪声小于 -40dB。

2008-05-07

VAR Z 箔音频电阻

VAR：Vishay 新型超高精度、高分辩率 Z 箔音频电阻

2008-05-07

VAR Z 箔音频电阻

NBXxxxx：安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块

安森美半导体扩充了高性能时钟和数据管理产品系列，推出九款基于锁相环(PLL)的新PureEdge时钟模块，替代晶体振荡器(XO)。NBXxxxx系列非常适用于高速网络、电信和高端计算应用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用振荡器

NBXxxxx：安森美高性能单频和双频晶体振荡器模块

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信应用振荡器

《电子元件技术网互动精彩回放》有奖小测验获奖名单

2008-05-06

《电子元件技术网互动精彩回放》有奖小测验获奖名单

Vishay荣获EE Times评选的模拟集成电路类年度最佳产品奖

日前，Vishay宣布，该公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驱动器荣获2008年EE Times评选的年度电子产品创新 (ACE) 奖项中的模拟集成电路类最佳产品奖。ACE 奖褒奖电子工程业最具创新的公司及突破性技术。

2008-05-06

SiP12510 SiP12511 LED驱动器

电子元件技术网有奖小测验第二期

2008-05-05

电子元件技术网有奖小测验第二期

DS4M-XO系列：Maxim超高频晶体振荡器

Maxim推出DS4M-XO系列晶体振荡器，支持100MHz至300MHz工作频率，并提供频率容限调节功能。DS4M-XO系列产品尺寸小、性能高并且易于使用，可理想用于Ethernet、InfiniBand、PCI和PCI Express II等空间受限的场合。

2008-05-05

DS4M-XO 晶体振荡器

USBULC6-2M6：意法半导体新款微型USB 2.0 ESD保护器件

意法半导体推出一款微型ESD保护器件USBULC6-2M6。这款QFN-6封装的产品尺寸极小，能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能的全部要求。由于在240MHz时最大电容只有0.85pF，USBULC6-2M6能够最大限度地降低失真，有助于工程师设计达到480 Mbps传输速率所要求的10pF最大额定线路负载。

2008-05-05

ESD保护 USBULC6-2M6

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