在全球内存市场迎来“超级周期”的浪潮中，三星电子与SK海力士双双交出了亮眼的第三季度成绩单。继SK海力士公布创纪录的利润后，三星也宣布其第三季度营业利润同比增长32%，创下三年多来的最强表现。这一增长主要得益于芯片业务的强劲反弹及产品价格的上涨。
业绩全面超越预期
根据CNBC的报道，三星第三季度营业利润达到12.2万亿韩元，远超市场预期的11.25万亿韩元，较上一季度增长超过一倍。公司总收入为86.1万亿韩元，略高于伦敦证券交易所集团（LSEG）SmartEstimate预测的85.93万亿韩元。与去年同期相比，收入增长8.9%，营业利润飙升32.9%。
ZDNet分析指出，业绩激增的原因在于内存产品价格的回升，以及上一季度因库存成本拖累业绩的一次性因素消失。
内存业务创历史纪录
在三星各业务部门中，半导体表现尤为突出。据路透社报道，三星半导体部门第三季度营业利润达到7万亿韩元（约合49.2亿美元），同比增长80%。设备解决方案（DS）部门销售额环比增长19%，内存业务创下季度历史新高。
这一成就主要得益于HBM3e和服务器固态硬盘（SSD）需求的强劲增长。三星表示，其HBM3e产品已进入面向所有主要客户的全面量产阶段，而HBM4样品也已开始向有需求的客户交付。
代工业务加速推进
三星的代工业务同样展现出强劲的复苏势头。公司报告称，第三季度客户订单创下历史新高，主要受先进制程节点需求的推动。三星的第一代2纳米全环绕栅极（GAA）工艺已进入量产阶段，标志着其在先进制程竞争中迈出了关键一步。
此外，据韩国媒体The Bell报道，三星正在为其位于美国德克萨斯州的泰勒工厂量产特斯拉的AI5和AI6芯片做准备。值得注意的是，AI5和AI6芯片均可能基于三星的2纳米工艺打造，进一步巩固了三星在先进制程领域的领先地位。
未来展望：高价值产品与先进工艺双轮驱动
展望未来，三星计划通过增加高价值产品的销售和推动新工艺的全面商业化，进一步巩固其在半导体市场的竞争优势。
在内存领域，三星将提高1c（第六代10纳米）DRAM的产量，以满足市场对HBM4日益增长的需求。在代工业务方面，位于美国泰勒的新晶圆厂将成为其2纳米工艺量产的首发基地，为全球客户提供更先进的芯片制造服务。
凭借内存业务的强劲表现和代工技术的持续突破，三星正全力抓住半导体行业的发展机遇，为未来的增长注入更多动力。
