【导读】随着人工智能和边缘计算对电源系统的效率与功率密度提出了更高要求。2025年11月25日，运动控制与电源传感领域的领先企业Allegro MicroSystems与氮化镓技术供应商英诺赛科共同宣布达成战略合作，推出一款突破性的4.2kW全GaN电源参考设计。该设计融合了Allegro先进的隔离栅极驱动器与英诺赛科高性能氮化镓晶体管，有望重塑未来AI数据中心及边缘计算电源架构。
强强联合，打造高效电源新方案
这款参考设计的核心在于结合了英诺赛科的650V及150V氮化镓功率晶体管与Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器。AHV85110采用了Allegro独有的Power-Thru™自供电架构，并内置偏置电源，不仅提升了系统的开关性能，还大幅简化了电路设计。据双方介绍，这一组合能够帮助电源系统实现钛金级能效标准，功率密度突破100 W/in³，同时显著降低无源器件的使用数量，为高密度计算场景提供了可行路径。
英诺赛科产品应用副总裁Larry Chen在评论此次合作时指出：“我们正致力于将氮化镓技术在数据中心领域的性能推向前所未有的高度。结合Allegro的驱动器技术，我们为工程师提供了兼顾高效率、高功率密度和快速上市周期的完整解决方案。”
技术创新：如何实现效率与密度的双重突破
AHV85110栅极驱动器在设计上体现了多重创新。其共模电容低至2.2pF，比传统方案降低了5–10倍，有效抑制了电磁干扰（EMI），提升了系统的信号完整性。此外，该驱动器通过集成偏置电源，使驱动电路所需的无源元件数量减少80%，系统整体元件数量降低15%，解决了高频电源设计中常见的复杂布局问题。
在结构上，AHV85110采用超薄封装，支持顶部散热或双面散热，能够与GaN功率器件紧密配合，优化系统热管理性能，从而确保设备在高负载AI应用中的稳定运行。
赋能下一代AI与边缘计算基础设施
随着AI模型规模扩大与边缘节点广泛部署，电源系统需在有限空间内提供更大功率，并尽可能降低能耗。氮化镓技术凭借其高频开关和低导通电阻的特性，正逐渐成为高要求应用场景的首选。Allegro与英诺赛科的参考设计为数据中心运营商和硬件开发者提供了一条可行的技术路径，既满足严苛的能效标准，也响应了全球可持续发展的目标。
Allegro功率产品副总裁Vijay Mangtani强调：“氮化镓正在彻底改变数据中心的能源利用方式。我们致力于通过基础性技术创新，帮助客户解决系统级挑战，保持行业领先。”
Allegro与英诺赛科的合作不仅是两家技术企业之间的协同，更是半导体与电源行业迈向高频高效电源系统的重要一步。这款4.2kW全GaN参考设计展示了如何通过器件与驱动的深度协同，在提升效率的同时缩小体积，为应对未来AI及边缘计算的能源需求奠定了坚实基础。随着该方案的推广，全球数据中心有望在性能、密度与环保属性上实现全面提升。
