【导读】高像素CIS的像素微缩与集成度提升持续驱动技术演进，单芯片方案需在噪声、感光与速度上达到同等水准。8月20日，2026强芯TOP100榜单在南京ICDIA创芯大会发布，格科GC50F0——全球首颗0.64μm单芯片5000万像素CMOS图像传感器，荣获“创新突破奖”。本文从单芯片架构、工艺协同及产业化三方面解析其技术突破。
“2026中国强芯评选”由中国集成电路设计创新联盟组织开展，旨在遴选具有技术竞争力和应用价值的国产IC产品。其中，“创新突破奖”重点表彰在芯片技术或应用方面取得重大突破，并已量产上市、经过市场验证的产品。
GC50F0是全球首颗0.64μm单芯片5000万像素CMOS图像传感器，光学尺寸1/2.8"，可适配主摄、超广角、长焦及前置摄像头，并支持DAG HDR、相位对焦（PDAF）及4K 60fps视频录制。
单芯片架构创新，突破高像素集成难题
区别于行业主流堆栈架构，GC50F0采用格科自主创新的单芯片集成架构，通过工艺与电路设计创新，突破高像素CIS单晶圆集成的工艺挑战，并优化噪声表现及电源抗干扰能力，将高像素单芯片技术路线进一步拓展至0.64μm小像素5000万像素产品。
设计与制造协同，攻克小像素核心挑战
随着像素尺寸持续缩小，CIS在像素隔离、感光和晶体管性能等方面面临更高挑战。依托自有12英寸Fab与GalaxyCell®特色工艺，GC50F0在0.64μm小像素下实现了感光、噪声与高速读出性能的综合优化。
GC50F0通过优化光电二极管之间的离子注入工艺及深沟槽隔离设计，增强像素间隔离能力；在感光性能方面，通过增加硅厚度改善光吸收率，提升小像素灵敏度；同时，改善晶体管的沟道界面质量，优化噪声水平和高速读出能力，兼顾高画质与高帧率需求。
基于上述技术创新，读出噪声和随机电报信号噪声相较同规格产品降低约50%，有效提升信噪比，改善暗光成像的细节表现。
目前，GC50F0已获得国际知名手机品牌客户订单并进入量产阶段，技术创新获得市场验证。
此次荣获“创新突破奖”，是行业对GC50F0技术创新与产业化能力的认可。未来，格科将持续推进CIS核心技术创新与产品迭代，拓展高像素产品的应用场景与市场空间。
GC50F0证明单芯片架构在0.64μm尺度上可实现量产级高像素性能。其通过单芯片集成与12英寸特色工艺，在像素隔离、感光及噪声优化上系统突破，读出噪声较同规格降低约50%，已获国际品牌订单并量产。该产品为格科打开旗舰CIS市场空间，也为国产高像素传感器从替代走向创新提供了参照。
