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具有最低电阻和低总闸极电荷的PowerTrench MOSFET

发布时间:2012-12-29 责任编辑:easonxu

【导读】快捷半导体公司的40VN信道PowerTrench MOSFET产品,具有最低电阻和低总闸极电荷以降低功率损耗。

汽车动力操控(Power Steering)系统设计工程师需要可提供更高效率和更好功率控制的解决方案。快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40VN信道PowerTrench MOSFET产品,具有最低电阻和低总闸极电荷以降低功率损耗,可协助设计者因应这些挑战。

FDB9403 采用快捷半导体的屏蔽闸极技术,改进了电阻并降低了电容器。该组件提供比最接近竞争产品低20%的RDS(ON)值,同时具备低Qg值,可降低功率损耗并最终提高整体效率。FDB9403 MOSFET产品作为基本的电流控制开关,有效控制电力,无任何浪费,因此非常适合于电力操控系统、悬架控制及动力传动管理应用。

在VGS = 10V和ID = 80A时,更低功率损耗的典型值RDS(ON)= 1mΩ,因而实现更高效率;在VGS = 10V和ID = 80A时,典型值Qg(tot) = 164nC,功耗更低,因而实现更高效率;UIS能力;以及符合RoHS及AEC Q101标准。

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