【导读】本文分析了引起电容器发热的主要因素，并进一步在电容器发热的基础上，对电容器的发热特性进行深度的测量和分析，并提供了用SimSurfing软件获取数据的方法与示例。
关于电容器的发热
随着电子设备的小型化・轻量化，部件的安装密度高，放热性低，装置温度易升高。尤其是功率输出电路元件的发热虽对设备温度 的上升有重要影响，但电容器通过大电流的用途(开关电源平滑用、高频波功率放大器的输出连接器用等)中起因于电容器损失成分的功率消耗变大，使得自身发热 因素无法忽视。因此应在不影响电容器可靠性的范围内抑制电容器的温度上升。
理想的电容器是只有容量成分，但实际的电容器包括电极的电阻因素、电介质的损失、电极电感因素，具体可用图1中的等价电路表示。
图1 等价电路
交流电流通过此类电容器时，会因电容器的电阻成分(ESR)，产生式.1-1中所示的功率消耗Pe，则电容器发热。
电容器自身的发热特性测量应在将电容器温度极力抑制为对流、辐射产生的表面放热或治具传热产生的放热状态下进行。此外，在 电容率的电压依赖性为非线形的高电容率类电容器中，需同时观察加在电容器上的交流电流与交流电压。小容量的温度补偿型电容器应具备100MHz以上高频中 的发热特性，因此须在反射较少的状态下进行测量。
1.电容器的发热特性测量系统
高电容率类电容器(DC～1MHz区域)发热特性测量系统的概略如图.2所示。
用双极電源将信号发生器的信号增幅，加在电容器上。用电流探头(通用探头)观察此时的电流，使用电压探头观察电容器的电压。同时用红外线温度计测量电容器表面的温度，明确电流、电压及表面温度上升的关系。
<图.2>
温度补偿型电容器(10MHz～4GHz带宽)发热特性测量系统的概略和测量状态如图.3所示。
<图.3>
组成系统的设备及电缆类均统一为50Ω，将测量试料装在形成微带线的基板上，两端装有SMA连接器。用高频波放大器(Amplifier)增幅信号发生器 (Signal GENERATOR)的信号，用定向耦合器(Coupler)观察反射同时即施加在试料(DUT)上。用衰减器(Attenuator)使通过试料输出的 信号衰减，用电力计(Power Meter)观测。同时观测试料表面温度。
2.电容器的发热特性数据
作为高介电常数的片状多层陶瓷电容器系列发热特性的测量数据，3216型10uF的B特性6.3V的发热特性数据、阻抗和ESR的频率特性如图.4所示。
表示100kHz、500kHz、1MHz中交流电流与温度上升的关系和阻抗(Z)及ESR®与频率的关系。可确认发热特性按 100kHz>500kHz>1MHz的顺序逐渐变小。此外，ESR在100kHz时为10mΩ，在500kHz时为6mΩ，在1MHz时为 5mΩ，可确认ESR与发热特性的密切关系。[page]
发热特性数据的获取方法
发热特性数据可通过本公司的Web网站确认。
图.5提供的设计支援工具----"SimSurfing"的画面。可以通过选取型号和希望确认的项目，显示特性。还可以下载SPICE网络清单或S2P数据作为模拟用数据。请务必灵活运用到各种电子电路设计中去。
