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手机EOS保护方案如何通过350V的测试?

发布时间:2016-11-29 责任编辑:wenwei

【导读】如今,快充已成为手机炙手可热的卖点,众多的手机设计制造商都想方设法的想要搭上这趟快车。而想要搭上这趟“快充专列”就必须通过严格的EOS测试,如何才能顺利通过350V的考验呢?一起来看看Leiditech是怎么做到的吧!
 
自从OPPO 手机的快充作为卖点,大家都觉得满足了自己的很大需求,快充电流从1A到2A , 到目前已经在测试的5A,手机快充的需求日益增长,然而满足快充的产品却要通过很多严格的EOS测试,近来越来越多的客户关注产品的EOS测试,而且测试要求都是非常高,需要通过350V的测试,对普通的TVS ESD厂家来说,需要把产品封装控制在手机能接受的范围内,而且通过超高压的测试,真是高不可攀的目标。
 
Leiditech针对快充芯片的各种电压、电流需求,研发出超小封装的DFN2020大功率产品,最大可以满足近400V的EOS的测试,而且可以满足VC小于大部分快充IC的耐受电压,是快充IC的得力助手。
 
对应信号线,推荐选用0402封装2路的器件leiditech ESDA05CP3,可以满足30KV的静电保护需求。
 
手机EOS保护方案如何通过350V的测试?
 
市场目前需求的三种电压4.5V  7V 和12V的芯片保护产品都在批量推出:
 
手机EOS保护方案如何通过350V的测试?
 
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具体应用电路方案如下图
 
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雷卯电子专注过压过流保护,可以免费提供各类高速数据接口的静电、浪涌保护方案和样品。


 
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