双向可控硅应用

为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。

 

耐压级别的选择：通常把 VDRM（断态重复峰值电压）和 VRRM（反向重复峰值电压）中较小的值标作该器件的额定电压。选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的 2~3 倍，作 为允许的操作过电压裕量。

 

电流的确定：由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的 2~3 倍。同时，可控硅承受断态重复峰值电压 VDRM 和反向重复峰 值电压 VRRM 时的峰值电流应小于器件规定的 IDRM 和 IRRM。

 

通态（峰值）电压 VTM 的选择：它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择 VTM 小的可控硅。

 

维持电流：IH 是维持可控硅维持通态所必需的最小主电流，它与结温有关，结温越高，则 IH 越小。

 

电压上升率的抵制：dv/dt 指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容，如图 2 所示。我们知道 dv/dt 的变化在电容的两端会出现等效电流，这个电流就会成为 Ig，也就是出现了触发电流，导致误触发。

 

图 2 双向可控硅等效示意图

 

切换电压上升率 dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出，如图 3 所示。

 

 

图 3 切换时的电流及电压变化

 

高 dVCOM/dt 承受能力受二个条件影响：

 

dICOM/dt—切换时负载电流下降率。dICOM/dt 高，则 dVCOM/dt 承受能力下降。结面温度 Tj 越高，dVCOM/dt 承受能力越下降。假如双向可控硅的 dVCOM/dt 的允许值有可能被超过，为避免发生假触发，可在 T1 和 T2 间装置 RC 缓冲电路，以此限制电压上升率。通常选用 47~100Ω 的能承受浪涌电流的碳膜电阻，0.01μF~0.47μF 的电容，晶闸管关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压 5-6 倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。

 

断开状态下电压变化率 dvD/dt。若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）作用很高的电压变化率，尽管不超过 VDRM，电容性内部电流能产生足够大的门极电流，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。假如发生这样的问题，T1 和 T2 间（或阳极和阴极间） 应该加上 RC 缓冲电路，以限制 dvD/dt。

 

电流上升率的抑制：电流上升率的影响主要表现在以下两个方面：

 

①dIT/dt（导通时的电流上升率）—当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通，门极临近处立即导通，然后迅速扩展至整个有效面积。这迟后的时间有一个极限，即负载电流上升率的许可值。过高的 dIT/dt 可能导致局部烧毁，并使 T1-T2 短路。假如过程中限制 dIT/dt 到一较低的值，双向可控硅可能可以幸存。因此，假如双向可控硅的 VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的 dIT/dt 有可能被超出，可在负载上串联一个几 μH 的不饱和（空心）电感。

 

②dICOM/dt (切换电流变化率) —导致高 dICOM/dt 值的因素是:高负载电流、高电网频率（假设正弦波电流）或者非正弦波负载电流,它们引起的切换电流变化率超出最大的允许值，使 双向可控硅甚至不能支持 50Hz 波形由零上升时不大的 dV/dt，加入一几 mH 的电感和负载串联，可以限制 dICOM/dt。

 

·为了解决高 dv/dt 及 di/dt 引起的问题，还可以使用 Hi-Com 双向可控硅，它和传统的双向可控硅的内部结构有差别。差别之一是内部的二个“闸流管”分隔得更好，减少了互相的影响。这带来下列好处：

 

①高 dVCOM/dt。能控制电抗性负载，在很多场合下不需要缓冲电路，保证无故障切换。这降低了元器件数量、底板尺寸和成本，还免去了缓冲电路的功率耗散。

 

②高 dICOM/dt。切换高频电流或非正弦波电流的性能大为改善，而不需要在负载上串联电感，以限制 dICOM/dt。

 

③高 dvD/dt（断开状态下电压变化率）。双向可控硅在高温下更为灵敏。高温下，处于截止状态时，容易因高 dV/dt 下的假触发而导通。Hi-Com 双向可控硅减少了这种倾向。从而可以用在高温电器，控制电阻性负载，例如厨房和取暖电器，而传统的双向可控硅则不能用。

 

门极参数的选用

门极触发电流—为了使可控硅可靠触发，触发电流 Igt 选择 25 度时 max 值的 α 倍，α 为门极触发电流—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常 α 取大于 1.5 倍即可。

 

门极压降—可以选择 Vgt 25 度时 max 值的 β 倍。β 为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常 β 取 1~1.2 倍即可。

 

触发电阻—Rg=（Vcc-Vgt）/Igt

 

触发脉冲宽度—为了导通闸流管（或双向可控硅），除了要门极电流≧IGT ，还要使负载电流达到≧IL（擎住电流），并按可能遇到的最低温度考虑。因此，可取 25 度下可靠触发可控硅的脉冲宽度 Tgw 的 2 倍以上。

 

在电子噪声充斥的环境中，若干扰电压超过触发电压 VGT，并有足够的门极电流，就会发生假触发，导致双向可控硅切换。第一条防线是降低临近空间的杂波。门极接线越短越好，并确保门极驱动电路的共用返回线直接连接到 TI 管脚（对闸流管是阴极）。若门极接线是硬线，可采用螺旋双线，或干脆用屏蔽线，这些必要的措施都是为了降低杂波的吸收。为增加对电子噪声的抵抗力，可在门极和 T1 之间串入 1kΩ 或更小的电阻，以此降低门极的灵敏度。假如已采用高频旁路电容，建议在该电容和门极间加入电阻，以降低通过门极的电容电流的峰值，减少双向可控硅门极区域为过电流烧毁的可能。

 

结温 Tj 的控制：为了长期可靠工作，应保证 Rth j-a 足够低，维持 Tj 不高于 80%Tjmax , 其值相应于可能的最高环境温度。

 

双向可控硅的安装

对负载小，或电流持续时间短（小于 1 秒钟）的双向可控硅，可在自由空间工作。但大部分情况下，需要安装在散热器或散热的支架上，为了减小热阻，可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。

 

双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种，夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。很多场合下，铆接不是一种推荐的方法，本文不做介绍。

 

夹子压接

这是推荐的方法，热阻最小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装（SOT82 和 SOT78 ） 和绝缘封装（ SOT186 F-pack 和更新的 SOT186A X-pack）。注意，SOT78 就是 TO220AB。

 

螺栓固定

SOT78 组件带有 M3 成套安装零件，包括矩形垫圈，垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。

 

安装过程中，螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量。

 

和接头片接触的散热器表面应处理，保证平坦，10mm 上允许偏差 0.02mm。

 

安装力矩（带垫圈）应在 0.55Nm 和 0.8Nm 之间。

 

应避免使用自攻丝螺钉，因为挤压可能导致安装孔周围的隆起，影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制，也是这种安装方法的缺点。器件应首先机械固定，然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。

 

在可控硅设计中，选用合适的参数以及与之相对应的软硬件设计，用可控硅构成的变流装置具有节约能源、成本低廉等特点，目前在工业中得到飞速的发展。

 

除此以外，可控硅的应用市场，可谓是相当的广阔，譬如：在自动化控制领域、机电领域、工业电器以及家电等方面，都有可控硅的身影。在消费级市场，U 型马达和电热阻丝也是可控硅应用比较多的方向。通常情况下，一般采用双向可控硅（TRIAC）或者结合交流电源来实现电机控制、恒温恒功率的控制电路。

 

不管是电热阻丝还是 U 马达，由于其加入了 TRIAC 这样的双向可控硅的器件，加入了 PID 控制算法所以其相关的电路设计就变得非常复杂，为了让大家更好的更轻松的实现相关产品的设计，我特意开设了此次直播课，帮忙大家系统地理解可控硅的在实际具体产品的控制电路设计。