电路保护-技术中心-电子元件技术网

电路保护

变频器过电压的原因及其对策

所谓变频器的过电压，是指由于种种原因造成的变频器电压超过额定电压，集中表现在变频器直流母线的直流电压上。电源过电压是指因电源电压过高而使直流母线电压超过额定值。而现在大部分变频器的输入电压最高可达460V，因此，电源引起的过电压极为少见.本文主要讨论的问题是再生过电压。

2009-12-02

变频器再生制动能量回馈

防雷击浪涌的开关电源电路设计

瞬间高电压的雷击浪涌以及信号系统浪涌是引起仪表稳定性差的重要原因，信号系统浪涌电压的主要来源是感应雷击、电磁干扰(EMI)、无线电干扰和静电干扰。金属物体(如电话线)受到这些干扰信号的影响，会使传输中的数据产生误码，影响传输的准确性和传输速率。如何设计防雷电路成为仪表研发的关键问题。...

2009-12-02

雷击浪涌开关电源仪表研发

中小型断路器的正确选择

常用断路器可分为配电型断路器、电机保护型断路器、家用保护型断路器、漏电断路器等,本文根据它们的保护特性不同,介绍正确选择常用断路器依据原则与方法以及怎样使用断路器,希望能够起到抛砖引玉作用,避免因误选断路器带来的危害。

2009-11-27

断路器电路保护漏电过载短路

FDFMA2P859T:飞兆半导体推出行业领先的薄型封装MOSFET

飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T，利用单一封装解决方案，满足对电池充电和功率多工(power-multiple...

2009-11-25

飞兆半导体 MicroFET 薄型封装 Farichild MOSFET

PolySwitch元件动作保护特性分析

本文根据PolySwitch元件的动作特点，建立了PolySwitch元件动作保护特性的数学模型。比较表明，根据该数学模型绘制的仿真曲线与PolySwitch元件手册中给出的动作保护特性曲线形态一致，且与实测数据基本吻合。

2009-11-20

PolySwitch 自恢复保险丝线路保护

ESD保护元件的对比分析及大电流性能鉴定

对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受ESD的冲击，并继续正常工作。

2009-11-13

静电放电 ESD CMOS 保护器件

电路保护和电磁兼容技术研讨会开幕

今天上午《电路保护和电磁兼容技术研讨会》开幕。本届研讨会由电子元件技术网成立以来主办的第三届，前两次会议分别在深圳和成都举办，受到工程师朋友的好评，这是该会第一次走近上海的工程师朋友，演讲厂商挑选和题目的设置方面都切合了上海为首的华东市场的特点。华东市场（江苏、浙江、上海...

2009-11-12

电路保护电磁兼容高频高速 SHCEF

三大厂商论剑过压保护解决之道

在做过电压/ESD防护设计时，有很多种器件可以选择，例如压敏电阻、半导体过压保护器件、TVS、气体防雷管。压敏电阻能够吸引能量，并且有EMC功能；气体放电管通流量可达上百千安培，但反应较慢；半导体过压保护器件开启电压的一致性好，可靠性很高，响应速度很快；TVS体积小，反应速度快，结电容超低...

2009-11-12

电路保护电磁兼容过压保护 ESD防护 SHCEF

探讨保险丝的选型与误区

整机系统设计工程师选用保险丝时，需要清楚的了解保险丝的性能，同时，系统设计工程师需要在众多保险丝品牌中作出选择，往往会陷入选择的困惑。针对上述问题，我们采访了AEM科技（苏州）有限公司的资深应用工程师陈峰，陈峰分享了保险丝选型时应该特别注意的问题。

2009-11-07

片式保险丝 AEM 保险丝的选型

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