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从固态变压器到板级供电:Vishay 在 PCIM Asia 呈现 AI 全链路电源方案

发布时间:2026-08-26 来源:转载 责任编辑:Lily

【导读】AI基础设施的功耗正在从千瓦级迈向兆瓦级,从电网到处理器核心的每一级电源转换都直接影响运营成本和系统可靠性。这一趋势对功率半导体的耐压、导通损耗和热管理提出了近乎苛刻的要求。8月26日,威世科技在PCIM Asia 2026上集中展示了覆盖完整AI电源架构的半导体和无源器件方案。从固态变压器、AC/DC电源、高压直流转换,到电路板级供电、电池备用单元,再到软件定义汽车和人形机器人电机控制,Vishay试图在展台16号C12呈现一条从电网到芯片的完整供电链路,而不仅仅是零散的器件陈列。


围绕完整的AI电源架构,Vishay重点呈现从电网级电源基础设施到电路板级系统供电的参考设计与产品组合。展示方案覆盖固态变压器(SST)、DC/DC电源(PSU)、高压直流(HVDC)、DC/DC电源转换、电池备用单元(BBU)、超级电容器备用单元(CBU)、热插拔系统、软件定义汽车(SDV)以及人形机器人电机控制。此外,面向下一代车辆平台的汽车电源模块也将同台亮相。


在AI电网基础设施领域,SST参考设计覆盖输入、直流隔离、输出和电压平衡级组件,包括额定值为11 µF / 1800 V的紧凑型金属化聚丙烯DC-Link薄膜电容器;额定值高达310 µF / 2000 V的高可靠性电力电子电容器;具有高纹波电流和长使用寿命的4端子牛角式铝电解电容器;工作电压高达5000 V的无电感功率电阻;以及采用EMIPAK 2B封装的SiC MOSFET功率模块。AC/DC PSU解决方案包括用于PFC和LLC级的第五代E系列MOSFET;用于同步整流和OR-ing应用的TrenchFET® 第五代功率MOSFET;波形整流器;低正向电压桥式整流器;具有高正向浪涌能力的玻璃钝化整流器;针对高速硬开关钳位保护进行优化的SiC肖特基二极管;以及用于电流检测的大功率、低电阻Power Metal Strip®电阻器。HVDC电源转换展品主要包括用于功率因数校正(PFC)、自举、滤波和预充电功能的解决方案。展出的重点产品包括几乎无反向恢复拖尾电流、开关损耗低的第四代SiC肖特基二极管,以及保证最小爬电距离为3.2 mm的贴片SiC肖特基二极管;工作温度高达+125 °C、具有高纹波电流能力及耐高温高湿的DC-Link薄膜电容器;以及能量吸收能力高达 300 J的PTC限流热敏电阻。


电路板级电源方面,Vishay展出薄型 PowerPAK® SO-8DC 双面散热MOSFET解决方案,这些产品支持高达+175 °C的工作温度,具有低导通电阻及低栅极和输出电荷,可实现高效开关;还将展出用于栅极驱动应用的厚膜芯片电阻器,这些产品具备出色的脉冲负载能力、增强的功率等级以及双面印刷电阻元件。BBU和CBU展品包括电流高达260 A、线圈与铁芯绝缘电压达350 VDC的扁线绕线电感器;额定电流高达150 A、线圈与磁芯绝缘电压达1500 VDC的IHDV功率电感器;额定电流高达100 A的IHLP®功率电感器;以及输出滤波电容器。热插拔系统将展示额定功率达150 W、脉冲吸收能力达75 J/0.1 s的用于预充电和放电应用的功率电阻。


面向软件定义汽车(SDV),本次展品主要包括POL转换器、保护和电流检测产品。重点展示的产品包括采用热增强型PowerPAK MLP 5 x 6封装、连续电流达50 A、峰值电流达80 A并通过AEC-Q100认证的集成功率级;具有超低ESR、在85 °C / 85 % RH条件下保持额定电压并通过AEC-Q200认证的聚合物钽电容器;具备7 kW浪涌保护能力和平坦钳位电压的汽车级TVS器件;符合OPEN Alliance规范的以太网ESD保护二极管;阻值极低的4端子电流检测电阻器;以及用于反向保护的热增强型MOSFET。人形机器人电机控制展品将展示采用PowerPAK SO-8和TOLL封装并采用MOSFET实现的开关、栅极驱动电路和电流检测,功率高达8 W的4接头检流电阻,以及额定工作电压为200 V的汽车级电感器。针对电动汽车(EV)/混合动力汽车(HEV)充电站及48 V微型交通系统的汽车级电源模块展品,重点展示兼具高隔离电压、低导通电阻、高速开关和低电容特性的SiC MOSFET / Si MOSFET电源模块,以及集成了电流和温度传感能力、采用电气隔离式裸露DBC衬底的半桥逆变器模块。


此外,PCIM Asia 2026现场还为大家带来以下参考设计:


用于400 V / 800 V DC-Link电容器的带绕线式安全电阻器和MOSFET驱动器的主动放电电路


基于WSBE Power Metal Strip® 电阻器打造的智能电池检流模块,该产品具有低TCR,并配备CAN FD接口,适用于400 V / 800 V系统


具有可调限流能力和DC-Link电容器预充电功能的48 V、100 A可复位电子熔丝


配备共模扼流圈以及可更换的X和Y电容器的单级、单相480 µH EMI滤波器 


适用于3.3 V系统的有源备份解决方案,该产品采用EDLC电容器,充放电电流高达2.5 A


PCIM Asia 2026于8月26-28日在中国深圳的深圳世界会展中心举行。


结论

梳理Vishay的展品清单,可以清楚看到一条逻辑线:在AI电网基础设施侧,用SiC MOSFET模块和高压薄膜电容器应对前级高压转换;在DC/DC和板级供电侧,用第五代MOSFET、Power Metal Strip电阻和薄型PowerPAK封装解决高频开关和散热难题;在汽车和人形机器人领域,则通过AEC-Q认证的集成功率级和聚合物钽电容器满足车规级可靠性。六个参考设计覆盖了主动放电、智能电流检测、电子熔丝、EMI滤波和备用电源等具体工程场景,说明Vishay并不止于提供器件,而是试图帮工程师提前验证系统级的可行性。


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