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能源电力

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT开关和导通损耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。

2012-05-21

IGBT Power MOS 8 Microsemi

美国Molycorp CEO：通过“凤凰计划”逐步增加美国稀土产量

稀土在生产高科技产品、可再生能源发电装置及电动汽车（EV）等时不可或缺，其关注度正不断提高。有关中国稀土产量占全球一半以上、过度依赖中国存在风险之类讨论一直不断。随着稀土价格不断上涨，中国以外其他产地的稀土开发越来越活跃。关于现状及今后的预测，中国外全球最大稀土开采商美国Molyco...

2012-05-21

稀土 EV Molycorp

兼顾多国标准的光伏阵列保护熔断器选型分析

为及时隔离故障光伏串，也为避免局部异常接线形成的过流危害，在光伏阵列设置直流光伏保险丝非常重要。如何才能正确选择光伏保险丝呢？本文兼顾美国标准、北美标准和我国标准带来详细的光伏阵列保护用熔断器的选择分析。

2012-05-18

保护熔断器光伏阵列熔断器

君耀强效放电管选型指南

SPG强效应玻璃放电管是一种靠内部微间隙放电的一种保护器件，在电极微间隙之间充有稳定的惰性气体，并采用玻璃壳和杜镁丝头在高温下烧结密封而形成的。

2012-05-18

君耀强效放电管

大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护方案

随着电力电子器件制造技术的发展，高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管（IGBT）因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点，而越来越多地应用到工作频率为几十kHz以下，输出功率从几kW到几百kW的各类电力变换装置中。IGBT逆变器中最重要的环节就是高性能的过流保护电...

2012-05-17

逆变器 IGBT 过流保护

STM32F0：ST推出基于Cortex-M0内核的超低成本及功耗32位MCU

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、世界领先的微控制器供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）扩大已取得巨大成功的经过市场检验的包含300多款产品的 STM32微控制器产品阵容，推出全新的STM32F0系列32位微控制器。新产品基于超低功耗的 ARM Cortex-M0处理器内核，整合增强的...

2012-05-16

STM32F0 STM32 32位微控制器 Cortex-M0 意法半导体

电力系统继电保护干扰原因及其防护方法

继电保护是电力系统最重要的二次系统。它对电力系统安全稳定地运行起着极为重要地作用。随着近年来微机继电保护的不断投入，以往的检验标准已逐渐不适应系统的发展，因此。我们需要寻求更加完善的检验方法，只有系统、全面、准确地进行继电保护检验。才能确保整个电力系统的安全。本文笔者根据多年...

2012-05-16

电力系统继电保护

过流保护—电流保险丝选型原理

熔断体是对电流敏感的元件，当故障电流超过熔断额定值时，熔断体会以自己的熔断来保护整个电路的不受破坏，因此如何正确地选用熔断体就显得十分重要。

2012-05-15

过流保护—电流保险丝

美高森美推出用于线性照明灯具的超快速启动LED驱动器

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)推出一款针对全球各地住宅、商业和工业照明灯具而优化的新型可调光LED驱动器模块。

2012-05-14

美高森美超快速启动 LED驱动器

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