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能源电力

SiC MOSFET模块的硬并联

以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联，给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性。

2022-02-17

SiC MOSFET 模块硬并联

一个正负5v稳压电源的简单制作

在正常情况下我们很难找到一个标准的正负电源，就连我们使用的电池电压都是正的，如果找到一个负电源那真是很难，而我们又会经常会用到正负电源，这时候我们就得想办法得到一个正负电源了，今天就教给大家一个非常简单的方法，让你轻轻松松制作一个正负5v的稳压电源。

2022-02-16

正负5v稳压电源

充分挖掘SiC FET的性能

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明，在模拟工具的支持下，SiC FET技术能兼顾这两点。

2022-02-16

SiC FET 功率转换器

安森美的NCP1680 PFC控制器获2021 PowerBest奖

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi）很高兴地宣布，其领先市场的NCP1680临界导通模式(CrM)无桥图腾柱功率因数校正(PFC)控制器获《Electronic Design》授予PowerBest奖。

2022-02-15

安森美 NCP1680 PFC控制器 PowerBest奖

如何进一步优化可实现显示屏的 LED 驱动器

驱车行驶在城市的大街上时，环顾一下四周，您会看到越来越多的全色 LED 标牌及留言板出现在商店、饭店和办公大楼的外墙上。随着 LED 矩阵显示系统产量的快速增长，广告标牌现在可提供商店老板可承受的价格。为了支持这一需求，我们正在努力开发新技术，进一步优化可实现这些显示屏的 LED 驱动器。

2022-02-14

显示屏 LED 驱动器

功率半导体电流额定值和热设计

电流额定值相关的温度可能与实际工作条件有关，也可能无关。如果有关，电流额定值可用于指示实际应用中器件的电流能力。如果器件的额定值是在典型工作环境（如25ºC）不会遇到的温度时得出的值，它就无法提供应用中实际器件能力的信息。该值只能用来比较相似器件在相同温度时的电流额定值

2022-02-14

功率半导体电流额定值热设计

一文弄懂IGBT驱动

要了解什么是IGBT驱动，首先你需要了解什么是IGBT。我们都知道，电机驱动是IGBT的主要应用领域之一。

2022-02-11

IGBT驱动

针对负电压浪涌的对策及其效果

继上一篇“正电压浪涌对策”之后，本文将会通过示例来看针对负电压浪涌的对策及其效果。

2022-02-11

负电压浪涌对策

派恩杰SiC驱动设计新探索：如何避免误开通？

随着SiC 工艺逐渐成熟和成本不断下降，SiC MOSFET凭借整体性能优于硅基器件一个数量级的优势正逐渐普及，获得越来越多的工程应用。相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化，因此广泛...

2022-02-10

派恩杰 SiC驱动设计误开通

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