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英飞凌诉尔必达4项专利侵权:称将尽力维权

发布时间:2010-02-25 来源:电子元件技术网

公司事件:

  • 英飞凌诉日本尔必达(Elpida Memory)专利侵权
  • 侵犯在半导体制程和元件制造方面4项重要发明专利

行业影响:

  • 保护通过持续研发所获得的知识产权

欧洲第二大半导体制造商德国英飞凌(Infineon)今天宣布,公司及其北美分公司已于2月19日向美国国际贸易委员会(ITC,International Trade Commission)递交起诉书,诉日本尔必达(Elpida Memory)专利侵权。

英飞凌方面称,尔必达制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面4项重要发明专利,涉嫌不公平贸易。通过诉讼以寻求美国国际贸易委员会下达禁令,禁止尔必达或以尔必达的名义,向美国进口侵犯英飞凌专利的DRAM半导体产品。

英飞凌公司管理委员会成员兼销售、营销、技术与研发负责人赫尔曼·奥伊尔(Hermann Eul)博士指出:“英飞凌在业界一直处于先进半导体制程的领先地位,我们将尽力保护我们通过持续研发所获得的知识产权。”

据C114了解,近期英飞凌专利诉讼频频,继去年年底刚刚结束与飞兆半导体(Fairchild,即仙童)之间的专利侵权诉讼,今年1月21日又在美国特拉华州联邦地方法院提起诉讼,控告Volterra半导体公司专利侵权。2009财年(截至2009年9月份),英飞凌实现销售额30.3亿欧元。

尔必达是日本最主要的DRAM半导体芯片制造厂商,主要生产DRAM颗粒,并且自己制造原产的ELPIDA内存条。
 

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