意法半导体(STMicroelectronics，ST)新组件包括首个可承受950V峰值电压的超接面(super-junction)晶体管(MOSFET)、同类产品中能效最高的900V晶体管以及唯一采用省空间 PowerFLAT 8x8 HV 超薄封装的850V组件。超接面技术可提高 MOSFET 的工作电压，降低导通电阻-芯片尺寸比，使电源产品在缩减总体封装尺寸的同时提高系统可靠性和能效。

在展示 SuperMESH 5 组件的高能效的同时，意法半导体还公布首个成功应用超高压 MOSFET 的客户设计。意大利固态照明创新企业TCI在其最新的 LED 驱动器设计中采用 LEDIPAK 封装的950V STU6N95K5 做主电源开关，为设计先进且功能丰富的LED照明灯提供电源，使其成为高成本效益的小型 LED 照明市场的能效标竿。

 意法半导体新的超接面 MOSFET 的其它主要应用包括平面电视、PC电源、 LED 照明驱动器及气体放电式灯(HID)的电子安定器(electronic ballast)。 MOSFET 将让设计人员能够达到能源之星和欧洲的能源相关产品法规(ErP) 等生态设计标准中日益严格的能效上限和下限要求。

例如，最新能源之星电视产品技术要求(5.3版)提出了更严格的生态设计规定，50吋以上的平面电视的最大绝对功率为108.0瓦。同时 ErP 的照明法规提高了2012-2017年间制造的各类 HID 灯的能效下限标准。

意法半导体新的超接面 MOSFET 耐高压特性可提高系统安全性和可靠性。对于 HID 灯安定器和其它以电源线或更高电压为电源的系统，例如太阳能微转换器和电动汽车充电站，耐高压是一个重要优势。为最大幅度减少电动汽车的充电时间和工作成本，充电站需要极高的功率转换效率。在微型发电机转换器内，高能效的 MOSFET 让设计人员能够使用更高的开关频率，输出高质量的 AC 电能，同时降低能耗和解决方案尺寸。

新的 MOSFET 晶体管是首批采用意法半导体的 SuperMESH 5 第五代超接面技术的产品。新产品包括采用不同封装的900V STx21N90K5 、950V STx20N95K5 以及950V STx6N95K5 。 STL23N85K5 850V 采用 PowerFLAT 8x8 HV 高压表面安装封装，占板面积为64mm2，较业界标准的 D2PAK 封装小56%。此外，这款产品的高度为1mm，较标准 D2PAK 封装低77%，适用于超薄型应用设计。

900V STP21N90K5 的灵敏值(FOM)反映了该产品开启电源以及开启和关闭时的总体能效，较市场上唯一可比产品低62.5%。如果不使用其它品牌而选用STP21N90K5，设计人员即可大幅提高能效。

新 SuperMESH 5 产品已开始提供样品或接受订单，该系列产品未来还将增加新款800V组件。