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工程可靠性问题
“可靠性”这个词汇对于不同的人士来说可能有着不同意义,但广泛来讲,底线往往在于成本。可靠性能够满足人的期望,它可能基于广告宣传、技术规格或合同,也可能与工程师以外的很多人士息息相关。本文就这些问题展开讨论,验证“可靠性”的重要地位。
2009-10-27
可靠性
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八种常用电容器的结构和特点
电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍,以供大家参考。
2009-10-27
电容器 薄膜电容器 电解电容器 独石电容器
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国家将收紧多晶硅项目再融资
国家发改委产业协调司司长陈斌10月15日表示,为了引导多晶硅产业健康发展,避免产业过度竞争,促进节能减排,国家将多晶硅产业列为产能过剩的行业,将控制多晶硅项目的再融资。而最近,中国证监会也向国家发改委移交了部分关于企业融资的审查权,以控制多晶硅等企业的再融资
2009-10-27
国家发改委 多晶硅 再融资
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振兴规划作用,推动电子信息产业走出低谷
伴随着“家电下乡”,“汽车下乡”、调整出口退税税率等政策相继实施,振兴规划对电子信息产业的提振效应开始显现。赛迪顾问研究数据显示,从2009年4月起,电子信息产业经济运行开始出现企稳迹象,主营收入降幅趋缓,并逐渐开始走出低谷。
2009-10-27
电子信息 通信 元器件
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扬智科技携M7108系列在深圳成立中国大陆区总部
扬智科技于深圳成立中国大陆区总部,力拓全新多媒体生活,深耕中国大陆市场,丰富消费电子应用。
2009-10-26
IC 扬智科技 机顶盒 M7108系列
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电源变换器中电流/电压模式相互转化分析
本文先简单的介绍了电流模式和电压模式的工作原理和这两种工作模式它们各自的优缺点;然后探讨了理想的电压模式利用输出电容ESR取样加入平均电流模式和通过输入电压前馈加入电流模式的工作过程。也讨论了电流模式在输出轻载或无负载时,在使用大的电感或在占比大于0.5加入斜坡补偿后,系统会从电流...
2009-10-26
变换器 电流/电压模式转化
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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和...
2009-10-26
MOSFET 关断区 恒流区 可变电阻区
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理解功率MOSFET的开关损耗
本文先分别介绍了功率MOSFET的Ciss,Coss,Crss及相对应的Qg,Qds和Qgs在开关过程中对开关损耗的影响。基于在理想状态下,用工程简化方式计算出MOSFET在开关过程中不同阶段的开关损耗,并分析出Crss及相对应的Qgd对于MOSFET管的开关损耗起主导作用。然后,论述了在实际状态下,Coss对开通和关断过程...
2009-10-26
米勒电容 开关损耗 零电压开关
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基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路
功率MOSFET具有开关速度快,导通电阻小等优点,因此在开关电源,马达控制等电子系统中的应用越来越广。通常在实际的设计过程中,电子工程师对其的驱动电路以及驱动电路的参数调整并不是十分关注,尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计,导致在实际的应用中,MOSFET产生一定...
2009-10-26
MOSFET 驱动电路
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