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霍尼韦尔新增两款新的100°和180°角位移传感器
霍尼韦尔近日宣布旗下传感与控制部在其原有的“智能位置传感器SPS系列”中再推出两款新构形的传感器——100° 和 180°角位移传感器。
2011-04-07
智能位置 传感器 位移
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独家:电子分销商如何抵御日本强震冲击波
3.11日本大地震爆发后,整个电子行业都在关注地震将对未来产业链造成的影响。为了近距离观察电子元器件供应链在这一突发事件中所面临的挑战,CNT对中国电子分销商联盟(CEDA)的核心会员单位进行了独家调查,深度解读一线渠道商对后市的预测,以及他们的策略调整。
2011-04-06
分销商 日本地震 晶振 IC
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美研究发现纳米线晶体管表现量子限制效应
美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管,表现出明显的量子限制效应,纳米线的直径越小,电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。
2011-04-06
纳米晶体管 量子限制效应 集成电路
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霍尼韦尔推出推出单面液体介质选项适用于潜在医疗应用
霍尼韦尔旗下传感与控制部近日宣布推出一种“单面液体介质选项”,从而延伸了其涵盖范围广的TruStability®压力传感器产品线。
2011-04-06
单面液体介质 压力传感器 保护传感器
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第七届电路保护与电磁兼容技术研讨会即将隆重开幕
研讨会将在2011年4月8日在深圳会展中心五楼菊花厅隆重召开,美国AEM科技、美国Bourns、日本村田制作、太阳诱电、深圳顺络、金华电子、东莞贝特电子、苏州泰思特等国际和国内领先保护电路和电磁兼容技术公司将再次聚集深圳,围绕华南电子制造商对设计周期、成本和供货周期的特殊要求,探讨电路保护与...
2011-04-02
电路保护 电磁兼容 ESD EMC EMI AEM科技 村田制作 2011szbd
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采用UC3901控制芯片高压电源模块设计方法
为了提高高压电源系统的可靠性,减小高压电路对低压电路的影响,高压与低压电路应当相互隔离。在高可靠的应用场合(如抗辐照)或隔离要求较高(如2500 V以上)的场合,光耦隔离显得力不从心,这时的磁反馈隔离是一种比较合适的控制电路隔离方法……
2011-04-02
电源 磁反馈 整流电路
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电源模块的电磁干扰设计
电源设计中即使是普通的直流到直流开关转换器的设计都会出现一系列问题,尤其在高功率电源设计中更是如此。除功能性考虑以外,工程师必须保证设计的鲁棒性,以符合成本目标要求以及热性能和空间限制,当然同时还要保证设计的进度。另外,出于产品规范和系统性能的考虑,电源产生的电磁干扰(EMI)必须...
2011-04-02
电源 电磁干扰 降压
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SL353系列:霍尼韦尔推出微功耗全极数字式霍尔效应传感器集成电路
霍尼韦尔旗下传感与控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全极数字式霍尔效应传感器集成电路”。SL353系列采用BiCMOS IC设计,这是霍尼韦尔的一项新技术,相对双极技术而言,该技术在增添更多性能和功能的同时减小集成电路的尺寸。
2011-04-01
微功耗 全数字 霍尔效应传感器
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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N沟道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积,即优值系数。
2011-04-01
沟道功率 MOSFET 导通电阻
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