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S系列：Vishay改进的军用级高精度箔电阻

Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal® 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。

2008-07-30

箔电阻 S系列军用级

MCT 0603 AT：Vishay高性能专业汽车薄膜贴片电阻

Vishay宣布推出采用 0603 封装尺寸的业界首款专业汽车用薄膜贴片电阻，该电阻结合了高达 +175°C（1000 小时）的高工作温度以及先进额定功率。

2008-07-30

MCT 0603 AT 薄膜贴片电阻汽车电子

MCT 0603 AT：Vishay高性能专业汽车薄膜贴片电阻

Vishay宣布推出采用 0603 封装尺寸的业界首款专业汽车用薄膜贴片电阻，该电阻结合了高达 +175°C（1000 小时）的高工作温度以及先进额定功率。

2008-07-30

MCT 0603 AT 薄膜贴片电阻汽车电子

VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻

Vishay推出新型 VSA101轴向 Bulk Metal Z 箔电阻。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（“∆R，由于自加热”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。

2008-07-16

VSA101 Z 箔电阻军用级

VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度轴向 Z 箔电阻

2008-07-16

VSA101 Z 箔电阻军用级

STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET

意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二极管

Vishay宣布推出最大结温高达 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二极管 diode

P10L：Vishay Sfernice微型面板电位计

Vishay宣布推出具有长久使用寿命、温度系数低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板电位计。

2008-07-11

P10L 电位计

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STV250N55F3：意法半导体新250A功率MOSFET

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