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2011年功率电晶体市场将达131亿美元
市场研究机构IC Insights预测，全球功率电晶体(power transistors)市场2011年将达到131亿美元营收规模，较2010年成长9%；该市场在 2010年的成长率为44%。IC Insights指出，功率电晶体市场的成长动力，来自汽车、可携式产品、替代能源与省电设备等应用领域。
2011-07-01
电晶体 IGBT 电源
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2011年功率电晶体市场将达131亿美元
市场研究机构IC Insights预测，全球功率电晶体(power transistors)市场2011年将达到131亿美元营收规模，较2010年成长9%；该市场在 2010年的成长率为44%。IC Insights指出，功率电晶体市场的成长动力，来自汽车、可携式产品、替代能源与省电设备等应用领域。
2011-07-01
电晶体 IGBT 电源
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MT9D015：Aptina宣布推出手机图像传感器
CMOS成像解决方案的领先提供商Aptina日前宣布推出MT9D015手机图像传感器。该1/5英寸200万像素图像传感器可以满足手机市场中智能手机主摄像头和前置摄像头在拍摄照片和视频方面日益增长的需求。
2011-06-30
MT9D015 Aptina 传感器
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IR推出坚固可靠的高压栅级驱动IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案。
2011-06-30
IR 高压 驱动IC
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IR推出坚固可靠的高压栅级驱动IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案。
2011-06-30
IR 高压 驱动IC
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三星夏普率先量产氧化物TFT
IGZO为InGaZnO (铟镓锌氧化物)的缩写，系备受关注的次世代TFT技术，属氧化物TFT (Oxide TFT)的一种。DIGITIMES Research分析，与非晶硅(a-Si)TFT相较，氧化物TFT不仅电子移动度较高，且在TFT一致性、制造成本与制程温度，亦均与非晶硅TFT同水平，有机会成为次世代TFT制程。
2011-06-30
氧化物TFT TFT 次世代TFT技术
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三星夏普率先量产氧化物TFT
IGZO为InGaZnO (铟镓锌氧化物)的缩写，系备受关注的次世代TFT技术，属氧化物TFT (Oxide TFT)的一种。DIGITIMES Research分析，与非晶硅(a-Si)TFT相较，氧化物TFT不仅电子移动度较高，且在TFT一致性、制造成本与制程温度，亦均与非晶硅TFT同水平，有机会成为次世代TFT制程。
2011-06-30
氧化物TFT TFT 次世代TFT技术
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LED显示屏信号传输的可靠性分析
信号在传输过程中，随着距离的增大而减弱。所以，传输介质的选择则显得尤为重要。下面以RS-485作为远距离数据传输线时要注意的事项。
2011-06-30
LED LED显示屏 信号
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LED显示屏信号传输的可靠性分析
信号在传输过程中，随着距离的增大而减弱。所以，传输介质的选择则显得尤为重要。下面以RS-485作为远距离数据传输线时要注意的事项。
2011-06-30
LED LED显示屏 信号
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