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仪器仪表行业亟待突破“可靠性”瓶颈
与国外发达国家产品和技术相比，国产仪器仪表虽然技术指标同国外同类产品比较差距不大，但国产仪器仪表在使用的可靠性和稳定性方面和国外产品差距很大。工业发达国家的经验表明，要打开国际市场，在市场竞争中取胜，必须首先提升产品的可靠性。美国认为产品质量的核心在可靠性，抓可靠性可以创造奇...
2010-09-20
仪器 仪表 可靠性 稳定性
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35亿触摸屏产业产值 中国制造的新机遇
据iSuppli预测，从2006年到2012年，主要触摸屏技术的销售额将增长近一倍，达到44亿美元，到2010年触摸屏产值将达到35亿美元。国家从2008年开始启动支持触摸屏产业化的重大专项，产业已经开始发展，但是技术和产业规模还远远不够。在未来“中国制造”能否在触摸屏领域发展壮大?
2010-09-20
触摸屏 手机 显示器
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物联网带动传感器芯片发展 需实现国产化
9月15日消息，目前我国虽然在物联网领域起步较早，也取得了一些成绩，但是改变不了我国国内传感器芯片普遍依靠进口的事实，这种依赖极大地制约了我国物联网产业的发展。
2010-09-17
RFID 传感器 物联网
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成本续降电容触控抢进低价智能手机
在厂商的努力下，藉由采用创新触控控制IC和新型单层触控屏幕设计，电容式触控解决方案成本不断降低，除已逐渐渗透到智能型手机(Smart PhONe)中，也有机会进入功能型手机(Feature Phone)与手机厂商计划推出的100美元低价智能型手机中。
2010-09-17
电容触控 智能手机 成本低
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成本续降电容触控抢进低价智能手机
在厂商的努力下，藉由采用创新触控控制IC和新型单层触控屏幕设计，电容式触控解决方案成本不断降低，除已逐渐渗透到智能型手机(Smart PhONe)中，也有机会进入功能型手机(Feature Phone)与手机厂商计划推出的100美元低价智能型手机中。
2010-09-17
电容触控 智能手机 成本低
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IR 推出P 沟道功率 MOSFET适用于直流应用开关
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或...
2010-09-17
MOSFET IR 直流开关
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IR 推出P 沟道功率 MOSFET适用于直流应用开关
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或...
2010-09-17
MOSFET IR 直流开关
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MMA845xQ系列：飞思卡尔高精度加速计用于延长电池使用寿命
据iSuppli公司报道，由于动作手机、游戏控制器和数码相机销售出现强劲势头，预计2010年全球MEMS市场将会增长11%。大部分此类设备将动作感应技术用于以下功能，如图像稳定、拍打控制、防盗和方向检测。 随着市场对下一代应用（如直观的用户界面和基于位置的服务）的需求在不断增长，在精度和电池使用...
2010-09-17
MMA845xQ 动作感应 延长 电池寿命
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全球太阳能电池产量 中国占"半边天"
尽管主要的销售市场在欧洲，但太阳能电池的生产重镇已经转移到亚洲。其中中国内地和中国台湾的产能加起来达到全球的一半。
2010-09-17
太阳能 电池 生产
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