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江西首个多晶硅生产项目在樟树正式投产
10月23日，引进世界领先技术、一期总投资达5000万美元，年产多晶硅500吨、三氯氢硅1.6万吨的江西通能硅材料有限公司多晶硅生产项目在江西樟树正式投产，这是江西省首个投产的多晶硅生产项目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氢硅
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江西首个多晶硅生产项目在樟树正式投产
10月23日，引进世界领先技术、一期总投资达5000万美元，年产多晶硅500吨、三氯氢硅1.6万吨的江西通能硅材料有限公司多晶硅生产项目在江西樟树正式投产，这是江西省首个投产的多晶硅生产项目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氢硅
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高分子PTC热敏电阻工作原理介绍
本文主要介绍高分子PTC热敏电阻的工作原理及其环境影响因素。首先分析了高分子PTC热敏电阻用于过流保护的工作原理，其次分析了环境温度对高分子PTC热敏电阻的影响，最后介绍了高分子PTC热敏电阻动作后的恢复特性。
2008-10-23
高分子PTC热敏电阻 过流保护 环境影响
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高分子PTC热敏电阻工作原理介绍
本文主要介绍高分子PTC热敏电阻的工作原理及其环境影响因素。首先分析了高分子PTC热敏电阻用于过流保护的工作原理，其次分析了环境温度对高分子PTC热敏电阻的影响，最后介绍了高分子PTC热敏电阻动作后的恢复特性。
2008-10-23
高分子PTC热敏电阻 过流保护 环境影响
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ESD分析工具——传输线路脉冲(TLP)
本文主要介绍了一种研究电流和时域ESD事件下的集成电路技术和电路行为的方法——传输线路脉冲（TLP），首先阐释了时域反射TLP系统，接着举例进一步解释TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD测试工具 TLP
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保护二极管都有相同的保护效果？
本文针对目前所面临的找到一种具有成本效益的ESD解决方案的挑战，分析了ESD方面所需考虑的因素，提出了将电压箝位到更低水平的最优方案，接着并比较几种保护器件得出安森美的保护器件更具竞争性和优越性。
2008-10-23
ESD 保护二极管 箝位电压
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