智能家居-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

智能家居

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，从而扩展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

本文针对目前所面临的找到一种具有成本效益的ESD解决方案的挑战，分析了ESD方面所需考虑的因素，提出了将电压箝位到更低水平的最优方案，接着并比较几种保护器件得出安森美的保护器件更具竞争性和优越性。

2008-10-23

ESD 保护二极管箝位电压

过压保护(OVP)器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏，在某些特定的应用中，基本的过压保护电路不足以胜任器件保护的要求，通常有以下两种需求。第一，电路的最大输入电压可能增大；第二，适当修改电路，可以在发生过压或欠压时利用输出电容储能保持能量。本文讨论如何针对这两种需求修改...

2008-10-23

过压保护电路 MOSFET

2008-10-23

过压保护电路 MOSFET

如何规范化生产，如何生产出真正意义上的低衰减、长寿命的 LED显示屏产品？本文仅从LED显示屏生产过程的静电防护角度，讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。

2008-10-23

静电 LED 防护措施危害

2008-10-23

静电 LED 防护措施危害

本文主要讨论抑制耳机放大器RF噪音的方法，提出了两种方法：通过屏蔽并缩短输入信号引线降低输入放大器的RF能量；选择具有RF抑制功能的放大器，使耦合到输出端的噪声最小。并以GSM手机为例具体阐释了这两种方法的实现。

2008-10-23

抑制RF噪音音频放大器屏蔽

首页上一页 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索