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优化变换器的FET开关以改善能量效率
现在越来越多的设计师在关注DC/DC功率系统的效率问题,功率MOSFET是DC/DC功率电路中功率损耗的罪魁祸首,而通过采用先进的器件,可以将这一损耗大幅降低。MOSFET厂商主要通过两种方式来优化工艺的发展。首先,为了改善产品的开关特性(开关速度),他们实施了先进的栅极结构设计,降低了栅极电荷(Q...
2008-09-18
MOSFET 开关和传导损耗 系统级效率 开关特性 单元密度
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电子变压器发展方向 微型化发展
电子变压器行业为适应市场经济和配套的需求,近几年,经营机制有了较大的转变。行业协会统计的数据显示,民营企业已占电子变压器行业的50%左右。目前我国电子变压器市场基本处于稳定状态,由于电子变压器属于劳动密集型产品,我国劳动力成本比较低廉,行业没有受到较大冲击,出口方面反而有了进一步...
2008-09-17
电子变压器 压电陶瓷变压器
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电子变压器发展方向 微型化发展
电子变压器行业为适应市场经济和配套的需求,近几年,经营机制有了较大的转变。行业协会统计的数据显示,民营企业已占电子变压器行业的50%左右。目前我国电子变压器市场基本处于稳定状态,由于电子变压器属于劳动密集型产品,我国劳动力成本比较低廉,行业没有受到较大冲击,出口方面反而有了进一步...
2008-09-17
电子变压器 压电陶瓷变压器
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电子变压器发展方向 微型化发展
电子变压器行业为适应市场经济和配套的需求,近几年,经营机制有了较大的转变。行业协会统计的数据显示,民营企业已占电子变压器行业的50%左右。目前我国电子变压器市场基本处于稳定状态,由于电子变压器属于劳动密集型产品,我国劳动力成本比较低廉,行业没有受到较大冲击,出口方面反而有了进一步...
2008-09-17
电子变压器 压电陶瓷变压器
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SuperMESH3系列: ST照明和开关电源应用功率MOSFET
意法半导体(ST)进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效,功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术,配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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SuperMESH3系列: ST照明和开关电源应用功率MOSFET
意法半导体(ST)进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效,功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术,配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ :Vishay 新型超高精度Z箔电阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W (典型值)的优越功率系数(“自身散热产生的 ∆R”)及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
电阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ :Vishay 新型超高精度Z箔电阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W (典型值)的优越功率系数(“自身散热产生的 ∆R”)及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
电阻 VPR221Z VPR221SZ
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我国遭美"337调查" LED企业上升至10家
2008年8月30日,我国又有6家LED企业即半导体照明企业,被控涉嫌专利侵权而将面临美国国际贸易委员会(U.S.ITC)的“337调查”。加上此前已有6家中国大陆LED企业被起诉且其中4家被列入ITC“337调查”名单,今年以来,我国已有12家LED企业遭遇海外知识产权纠纷(不包括我国台湾地区企业)。
2008-09-16
知识产权 LED Rothschild 337调查
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