智能家居-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

智能家居

优化变换器的FET开关以改善能量效率

现在越来越多的设计师在关注DC/DC功率系统的效率问题，功率MOSFET是DC/DC功率电路中功率损耗的罪魁祸首，而通过采用先进的器件，可以将这一损耗大幅降低。MOSFET厂商主要通过两种方式来优化工艺的发展。首先，为了改善产品的开关特性（开关速度），他们实施了先进的栅极结构设计，降低了栅极电荷（Q...

2008-09-18

MOSFET 开关和传导损耗系统级效率开关特性单元密度

电子变压器发展方向微型化发展

电子变压器行业为适应市场经济和配套的需求，近几年，经营机制有了较大的转变。行业协会统计的数据显示，民营企业已占电子变压器行业的50%左右。目前我国电子变压器市场基本处于稳定状态，由于电子变压器属于劳动密集型产品，我国劳动力成本比较低廉，行业没有受到较大冲击，出口方面反而有了进一步...

2008-09-17

电子变压器压电陶瓷变压器

电子变压器发展方向微型化发展

2008-09-17

电子变压器压电陶瓷变压器

电子变压器发展方向微型化发展

2008-09-17

电子变压器压电陶瓷变压器

SuperMESH3系列： ST照明和开关电源应用功率MOSFET

意法半导体（ST）进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度，将大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

SuperMESH3系列： ST照明和开关电源应用功率MOSFET

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔电阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工业级别绝对 TCR、在 +25°C 时最多 8W 的额定功率、±4ppm/W （典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的 ∆R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

电阻 VPR221Z VPR221SZ

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻

2008-09-17

电阻 VPR221Z VPR221SZ

我国遭美"337调查" LED企业上升至10家

2008年8月30日，我国又有6家LED企业即半导体照明企业，被控涉嫌专利侵权而将面临美国国际贸易委员会(U.S.ITC)的“337调查”。加上此前已有6家中国大陆LED企业被起诉且其中4家被列入ITC“337调查”名单，今年以来，我国已有12家LED企业遭遇海外知识产权纠纷(不包括我国台湾地区企业)。

2008-09-16

知识产权 LED Rothschild 337调查

首页上一页 1876 1877 1878 1879 1880 1881 1882 1883 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

优化变换器的FET开关以改善能量效率

电子变压器发展方向 微型化发展

电子变压器发展方向 微型化发展

电子变压器发展方向 微型化发展

SuperMESH3系列： ST照明和开关电源应用功率MOSFET

SuperMESH3系列： ST照明和开关电源应用功率MOSFET

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔电阻

我国遭美"337调查" LED企业上升至10家

友情链接(QQ：317243736)

电子变压器发展方向微型化发展

电子变压器发展方向微型化发展

电子变压器发展方向微型化发展