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超薄插拔式Micro SIM卡连接器，高度仅为1.24毫米
TE近日发布了一款超薄插拔式Micro SIM卡连接器。这款先进的硬件解决方案可以在提高效率的同时降低终端产品的成本和尺寸。较上一代插拔式Mini SIM卡连接器，TE这款新产品可额外节省35%的PCB（印刷电路板）空间，并具有更小的外形尺寸，从而为终端设备的尺寸设计和应用带来了更大的灵活性。
2013-01-24
连接器 插拔式 TE
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超薄插拔式Micro SIM卡连接器，高度仅为1.24毫米
TE近日发布了一款超薄插拔式Micro SIM卡连接器。这款先进的硬件解决方案可以在提高效率的同时降低终端产品的成本和尺寸。较上一代插拔式Mini SIM卡连接器，TE这款新产品可额外节省35%的PCB（印刷电路板）空间，并具有更小的外形尺寸，从而为终端设备的尺寸设计和应用带来了更大的灵活性。
2013-01-24
连接器 插拔式 TE
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可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
2013-01-24
智能手机 MOSFET 平板电脑
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可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
2013-01-24
智能手机 MOSFET 平板电脑
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可用于智能手机的新款超小型功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
2013-01-24
智能手机 MOSFET 平板电脑
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新型功率MOSFET系列，将DC-DC 开关应用效率提升2%
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技术，可为 12V 输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。
2013-01-24
MOSFET 硅技术 最佳效率
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新型功率MOSFET系列，将DC-DC 开关应用效率提升2%
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技术，可为 12V 输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。
2013-01-24
MOSFET 硅技术 最佳效率
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新型功率MOSFET系列，将DC-DC 开关应用效率提升2%
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技术，可为 12V 输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。
2013-01-24
MOSFET 硅技术 最佳效率
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村田发布世界最小尺寸的独石陶瓷电容
村田制作开发了世界最小008004尺寸（0.25×0.125mm）的独石陶瓷电容器。相较于现在一部分智能手机配备01005尺寸（0.4×0.2mm）电容器，实现了减少约75%的体积。适用于小型便携式设备的各种模块。
2013-01-24
村田 独石陶瓷电容器 智能手机
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