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富士胶片开发出替代ITO的透明导电薄膜
富士胶片开发出了具有高透射率和弯曲性的透明导电薄膜。主要用于触摸面板，计划取代ITO薄膜使用。该公司在“第二届尖端电子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，东京有明国际会展中心）上公开了试制品。
2011-01-28
富士胶片 ITO 透明 导电薄膜 触摸面板
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廉价智能手机打开中国市场
近日基于中国政府今年目标实现3G用户超过1亿，市场不久将出现100美元以下的智能手机，电信运营商的补贴也同样重要，高通投资部中国区高级总监沈劲(James Shen)日前表示。
2011-01-28
高通 廉价 智能手机 中国市场 android 电信
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健康3D电视成主流
2010年，3D电视迎来发展元年，随着3D电视的普及，3D电视的健康问题一再升级倍受关注，国内外各大彩电品牌纷纷发起了3D健康革命，推出不闪式3D电视。
2011-01-28
3D 电视 液晶
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健康3D电视成主流
2010年，3D电视迎来发展元年，随着3D电视的普及，3D电视的健康问题一再升级倍受关注，国内外各大彩电品牌纷纷发起了3D健康革命，推出不闪式3D电视。
2011-01-28
3D 电视 液晶
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2011年67%以上的液晶面板将采用LED背光
据IHS iSuppli公司预测，2011年全球出货的三分之二以上大尺寸液晶面板将采用LED背光，该比例2010年低于50%。预计2011年将有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出货量将达到4.956亿块，比2010年的2.833亿块大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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2011年67%以上的液晶面板将采用LED背光
据IHS iSuppli公司预测，2011年全球出货的三分之二以上大尺寸液晶面板将采用LED背光，该比例2010年低于50%。预计2011年将有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出货量将达到4.956亿块，比2010年的2.833亿块大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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飞兆推出UniFET™ II MOSFET消费产品功率转换器
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2011-01-27
UniFET™ II MOSFET 飞兆 消费产品 功率转换器 开关电源
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飞兆推出UniFET™ II MOSFET消费产品功率转换器
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2011-01-27
UniFET™ II MOSFET 飞兆 消费产品 功率转换器 开关电源
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飞兆推出UniFET™ II MOSFET消费产品功率转换器
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
2011-01-27
UniFET™ II MOSFET 飞兆 消费产品 功率转换器 开关电源
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