通信广电-技术中心-电子技术应用频道-电子元件技术网

通信广电

H 桥直流电机应用中快速衰减模式

电机在禁用时能够快速停止在特定位置。因此，考虑到这一要求，我首先确信采用快速衰减模式就是我所需要的。可以合理地假设“快速衰减”对应于快速减速。我错了。在阅读了这个问题后，我意识到术语慢衰减和快衰减与流经电感器的电流相关，并且与直流电机的行为没有直接关系。

2023-07-08

H 桥直流电机应用快速衰减模式

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用

在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。这些产品具有较低的损耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重点介绍Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。

2023-07-08

高压分立功率半导分立Si MOSFET 电力电子领域

PCB传统四层堆叠的缺点

如果层间电容不够大，电场将分布在电路板相对较大的区域上，从而层间阻抗减小，返回电流可以流回顶层。在这种情况下，该信号产生的场可能会干扰附近改变层的信号的场。这根本不是我们所希望的。不幸的是，在 0.062 英寸的 4 层板上，各层之间的距离较远（至少 0.020 英寸，如图 1 和图 2 所示），并...

2023-07-07

PCB 四层堆叠

补偿 EMI 滤波器 X 电容对有源 PFC 功率因数的影响

现代开关模式电源使用 X 电容器和 Y 电容器与电感器的组合来过滤共模和差模 EMI。滤波器元件位于任何有源（或无源）功率因数校正 (PFC) 电路的前面（图 1），因此 EMI 滤波器的电抗对功率因数 (PF) 造成的任何失真都会改变甚至完美的功率因数校正 (PFC) 电路。修正了电压-电流关系。

2023-07-06

EMI 滤波器 X 电容 PFC 功率

利用MAXQ3210进行环境监视

在MAXQ系列以及其他嵌入式微控制器中，MAXQ3210独具特色。它把基于EEPROM的代码和数据存储、压电喇叭驱动器、9V稳压器集成在低引脚数封装内。高性能的16位RISC核使其运行速度快，并且省电。由于是基于MAXQ10核， MAXQ3210不同于其他的MAXQ微控制器，它采用的是8位累加器，而不是16位累加器。MAXQ...

2023-07-06

MAXQ3210 环境监视

PCB 布局来减少二次谐波失真

值得一提的是，实际上，变压器输出不是理想的差分信号——两个输出之间可能存在相位和/或幅度不平衡。这些不平衡会增加二次谐波失真。可以看出，二次谐波幅度受相位不平衡的影响比幅度不平衡的影响更严重。

2023-07-06

PCB 谐波失真

了解压电传感器：压电效应

压电加速度计的个关键方面是压电效应。一般来说，压电材料在受到机械应力时可以产生电力。相反，对压电材料施加电场可以使其变形并产生小的机械力。尽管大多数电子工程师都熟悉压电效应，但有时并没有完全理解这种有趣现象的细节。

2023-07-06

压电传感器压电效应

DC/DC开关电源电感下方到底是否铺铜？

电感有交变电流，电感底部铺铜会在地平面上产生涡流，涡流效应会影响功率电感的电感量，涡流也会增加系统的损耗，同时交变电流产生的噪声会增加地平面的噪声，会影响其他信号的稳定性。

2023-07-04

DC/DC开关电源电感铺铜

耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品

功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。

2023-07-04

功率MOSFET 浪涌保护高压保护

首页上一页 147 148 149 150 151 152 153 154 下一页尾页

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索

H 桥直流电机应用中快速衰减模式

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用

PCB传统四层堆叠的缺点

补偿 EMI 滤波器 X 电容对有源 PFC 功率因数的影响

利用MAXQ3210进行环境监视

PCB 布局来减少二次谐波失真

了解压电传感器：压电效应

DC/DC开关电源电感下方到底是否铺铜？

耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品

友情链接(QQ：317243736)