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如何解决高频信号传输领域存在的阻抗失配现象
在高频领域,信号或电磁波必须沿着具有均匀特征阻抗的传输路径传播。一旦阻抗失配或不连续现象,一部分信号被反射回发送端,剩余部分电磁波将继续被传输到接收端。
2021-08-24
高频信号传输 阻抗失配
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微结构不均匀性(负载效应)及其对器件性能的影响:对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究
在DRAM结构中,电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限,制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而对于先进的DRAM,晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。
2021-08-23
负载效应 DRAM
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数字IC的高级封装盘点与梳理
数字 IC 的封装选项(以及相关的流行词和首字母缩略词)继续成倍增加。微处理器、现场可编程门阵列 (FPGA) 和专用定制 IC (ASIC) 等高级数字 IC 以多种封装形式提供。
2021-08-23
数字IC 高级封装
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英特尔面向 CPU、GPU 和 IPU发布了重大技术架构的改变和创新
在 2021 年英特尔架构日上,英特尔公司高级副总裁兼加速计算系统和图形事业部总经理 Raja Koduri 携手多位英特尔架构师,全面介绍了两种全新 x86 内核架构的详情;英特尔首个性能混合架构,代号“Alder Lake”,以及智能的英特尔® 硬件线程调度器;专为数据中心设计的下一代英特尔® 至强® 可扩展处理...
2021-08-22
英特尔 CPU GPU IPU
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开关电源的LLC 拓扑
近来,LLC拓扑以其高效,高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机,动态负载,过载,短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管,低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。
2021-08-22
开关电源 LLC 拓扑
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如何理解FIT和MTBF
在我们的日常工作中,经常会碰到器件失效或系统故障,这时为了清楚界定失效事件的严重性,就需要定量的来描述具体的失效率,这就需要用专业的术语来沟通,而有的工程师喜欢谈FIT,有的工程师喜欢谈MTBF,其实这两个概念所描述的主体是不一样的,因此有必要在此简析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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利用SiC FET降低电磁干扰和开关损耗
器件缓冲似乎是处理开关过冲、振铃和损耗的一种“野蛮”解决方案,而这对于诸如IGBT之类较老的技术来说确实如此。但是,宽禁带器件,尤其是SiC FET,可以将该技术用为栅极电阻调谐的优良替代方案,以提供较低的总损耗。
2021-08-20
SiC FET 电磁干扰 开关损耗
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解惑:耦合在电路中的作用?为什么需要耦合?
耦合是指把能量从一个电路传送另外一个电路中去,耦合在模拟电路和数字电路中非常常见,微弱的信号可以耦合到放大电路进行放大,经过放大的信号同样可以通过耦合进行输出。
2021-08-20
耦合电路 模拟电路 数字电路
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关于2021厦门国际照明展览会新展期定档的通告
在国家政府的正确领导下,各地各级部门面对疫情沉着冷静,应对有道。用科学温暖有效的疫情防控措施,让恣意妄行的疫情偃旗息鼓,再度得到控制,被封控地区、街道纷纷解封并重新降为低风险。
2021-08-17
厦门国际照明展
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