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使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
SiC器件的快速开关特性包括高频率，要求测量信号的精度至少达到100MHz或更高带宽 (BW)，这需要使用额定500MHz或更高频率的示波器和探头。在本文中，宽禁带功率器件供应商Qorvo与Tektronix合作，基于实际的SiC被测器件 (DUT)，描述了实用的解决方案。
2025-01-26
MSO AWG 功率半导体器件 双脉冲测试
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MOS管在开关电源中的核心作用及其关键性能参数对设计的影响
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET)是现代电子技术中不可或缺的元器件之一，在开关电源设计中扮演着至关重要的角色。开关电源作为现代电力转换和管理的核心组件，其性能与效率在很大程度上依赖于MOS管的选择与应用。本文将深入探讨MOS管...
2025-01-25
MOS管 开关电源
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第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si-IGBT模块相比，显著降低了功率损耗，同时器件内部杂散电感降低约47%。
2025-01-24
工业用 SiC 功率模块
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意法半导体荣膺 2025 年全球杰出雇主认证
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 首次被Top Employers Institute评选为2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
意法半导体
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IGBT并联设计指南，拿下！
大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。
2025-01-24
IGBT 并联设计
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功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j－top)获取结温信息
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2025-01-24
功率器件 热设计 热系数 结温
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利用创新FPGA技术：实现USB解决方案的低功耗、模块化与小尺寸
USB技术的开发面临着独特的挑战，主要原因是需要在受限的设备尺寸内实现稳定互连、高速度和电源管理。各种器件兼容性问题、各异的数据传输速度以及对低延迟和低功耗的要求，给工程师带来了更多压力，他们需要在严格的技术限制范围内进行创新。工程师必须将USB功能集成到越来越小的模块中，并在功能...
2025-01-24
FPGA技术 USB
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服务器电源设计中的五大趋势
由于服务器对于处理数据通信至关重要，因此服务器行业与互联网同步呈指数发展。尽管服务器单元最初是基于 PC 架构，但服务器系统必须能够应对日益增加的网络主机数量和复杂性。
2025-01-24
服务器电源
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音频放大器的 LLC 设计注意事项
设计音频放大器的电源时必须将特殊注意事项考虑在内。与标准隔离式电源相比，音频信号的非线性性质提出了不同的设计挑战。
2025-01-23
音频放大器 LLC
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