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STC03DE220HV：意法半导体用于三相电源的低功耗ESBT开关
意法半导体宣布推出STC03DE220HV ESBT（发射极开关双极晶体管）功率开关，新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效，降低产品的成本、组件数量和尺寸。
2008-05-21
STC03DE220HV ESBT 发射极开关双极晶体管
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO复用三路DPDT开关
Maxim推出三路双刀双掷(DPDT)开关MAX4996/MAX4996L，可切换多路高达670MHz的高频信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为2.0Ω)、导通电容(典型值为6pF)和功耗(典型值为3µA)，从而能够实现高频切换。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路双刀双掷(DPDT)开关
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TJ3-HT：Vishay新型环形高温电感器
Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器。该器件具有业内最高额定及饱和电流以及业内最低电感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高温电感器
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增强型高电流密度 PowerBridge整流器的新系列，这些器件的额定电流为 10 A 至 25 A，最大额定峰值反向电压为 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT开关
Maxim推出双刀双掷(DPDT)模拟开关MAX4983E/MAX4984E，可切换多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为5Ω)和较高的带宽(950MHz)，允许采用单个连接器实现高性能的切换。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT开关
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SMM4F：意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列
意法半导体推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二极管 diode 消费电子
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SMM4F：意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列
意法半导体推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二极管 diode 消费电子
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan钽芯片电容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan钽芯片电容，采用0805封装的该类电容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 µF条件下），而采用0603封装的具有业内最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan钽芯片电容
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STGxL6NC60D：意法半导体新款IGBT系列
意法半导体推出一系列新的IGBT，新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低了关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT,用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 绝缘栅双极晶体管 IGBT 开关电源
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