产品特性：
- 3.3V供电电压
- 采用0.25μm CMOS技术，相位噪声性能优异
- 具有四种可供选择的输出频率
- 集成的1:2扇出缓冲器
- 采用无铅TSSOP-16封装
- 分别产生一组和两组差动HCSL输出时钟
应用范围：
- PCI Express、千兆位以太网(GbE)
- 双列直插内存模块(FBDIMM)应用
安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩展其PureEdge高性能时钟产生产品系列，推出NB3N3002和NB3N5573这两款新器件。
NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)时钟产生器，生成频率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之间选择的主时钟信令等级(HCSL)和亚皮秒(ps)抖动的优质时钟。这些器件非常适合于PCI Express、千兆位以太网(GbE)和双列直插内存模块(FBDIMM)应用。与标准的晶体振荡器和硅基竞争时钟产生器件相比，PureEdge架构提供更高的设计灵活性及更低的系统成本。
NB3N3002生成一组差动HCSL输出时钟，NB3N5573则提供双输出。这两款器件采用先进的0.25微米(μm) CMOS技术，相位噪声性能大幅超越竞争器件，可与昂贵的表面声波(SAW)晶体振荡器相媲美。这些器件以低成本25 MHz晶体生成的高质量时钟具有四种可供选择的输出频率和集成的1:2扇出缓冲器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)载波频率偏移处，NB3N5573提供的相位噪声为130 dBc/Hz(每1赫带宽内单边带相位噪声功率与载波功率之比)。
与安森美半导体所有的PureEdge器件相似，这些新的时钟产生器为系统设计人员省下更多的珍贵时序预算，并提供真正的设计灵活性。硅基时钟产生IC，如NB3N3002和NB3N5573本质上比昂贵的晶体振荡器更易于制造，故能降低总体系统成本，并大幅缩短产品上市时间。NB3N5573与功能相竞争的器件ICS557-03引脚兼容，能够替代这器件。在没有采用扩频功能下，NB3N5573提供更佳的抖动性能，使其在不需要同步状态信息(SSM) 下更发挥价值。
NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm无铅TSSOP-16封装，每2,500片的批量预算单价为1.80美元。
