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FDZ371PZ:飞兆半导体1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET

发布时间:2009-08-21

产品特性:
  • RDS(ON) 值小,最大限度地减小了传导损耗
  • 可提供4.4kV的稳健ESD保护功能
  • 具有出色的电气和热阻数值
应用范围:
  • 手机、医疗、便携和消费应用

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench®工艺 技术,为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ,能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗,FDZ371PZ能够提高便携设计的效率,并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能,以保护器件免受ESD事件影响。

FDZ371PZ器件的WL-CSP封装使用4 x 250µm无铅焊球,具有出色的电气和热阻数值,安装时的封装高度达到0.4mm,达业界领先水平。

FDZ371PZ是飞兆半导体全面的先进MOSFET产品系列的成员,能够满足业界对于紧凑的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的开关性能。


价格(订购1,000个,每个): 0.30美元
供货: 现提供样品
交货期:8至12星期
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