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MGFC50G5867/MGFC47G5867:三菱电机推出最高功率GaN HEMT功率放大器

发布时间:2011-12-05 来源:三菱电机

产品特性:

  • 大功率、高效率
  • 低失真特性

应用范围:

  • C波段卫星通信地面站


三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器:MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ,拥有100W和50W的业届最高输出※5功率,样品从2012年1月10日开始提供。
※1 频率4 GHz~8GHz的微波
※2 卫星通信时设置在地面的基站
※3 Gallium Nitride:氮化镓
※4 High Electron Mobility Transistor:高电子迁移率晶体
※5 截至2011年11月29日,根据本公司调查。在卫星通信地面站用的GaN HEMT中

新产品的特点 

1.大功率、高效率有助于功率放大器的小型化
・采用耐压性能卓越的GaN,可在40V的高电压下工作
・大功率,输出功率分别达到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)
・高效率,功率附加效率※6达到43%以上
※6 供电功率转换为输出功率时的效率。数值越高,效率越佳。

2.低失真特性有助于提高信号质量
・输出功率为40W(46dBm)时IM3※7=-25dBc,实现低失真特性(MGFC50G5867)
※ 7 Inter Modulation:当2个信号同时输入到放大器时产生的失真现象。数值越低,性能越佳。

主要规格

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