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派恩杰SiC驱动设计新探索：如何避免误开通？
随着SiC 工艺逐渐成熟和成本不断下降，SiC MOSFET凭借整体性能优于硅基器件一个数量级的优势正逐渐普及，获得越来越多的工程应用。相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化，因此广泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驱动设计 误开通
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理想开关自身会带来挑战
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。
2022-02-10
理想开关自身会带来挑战
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如何快速了解预采购的电源器件性能？
自第二次工业革命之后，人类社会的发展和电能深度绑定，电气/电子设备被广泛应用于工业、医疗、能源、交通、民生等各个领域。随着用电设备从单一回路逐渐演变成为系统，将电能合理、有效地分配给系统中的每个器件尤为重要。一个优秀的电源管理系统不仅能够保障系统的用电安全，更是设备做到高效节能...
2022-02-10
电源器件 性能
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适用于电流模式DC-DC转换器的统一的LTspice AC模型
当电源设计人员想要大致了解电源的反馈环路时，他们会利用环路增益和相位波特图。知道环路响应可进行预测有助于缩小反馈环路补偿元件的选择范围。
2022-02-09
电流模式DC-DC转换器 LTspice AC模型
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开关稳压器的封装体积正变得越来越小
开关稳压器电路已经存在多年，用户可以选择使用分立式组件来设计自己的产品，也可以购买模块化成品。如今，能够满足最新的效率、EMI和功率密度要求的技术让模块化方案获得更多的青睐。
2022-02-09
开关稳压器 封装体积
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SiC功率器件使用过程中的常见问题集（上）
由于SiC 材料具有更高的击穿场强、更好的热稳定性、更高的电子饱和速度及禁带宽度，因此能够大大提高功率器件的性能表现。相较于传统的Si功率器件，SiC 器件具有更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。当前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解
追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上...
2022-02-08
基本半导体 碳化硅肖特基二极管
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开关电源设计中的频率选择（下）
本文是深入研究开关频率设计的系列文章之下篇。上篇回顾了如何计算开关频率的关键指标，以及更高频率设计的难点所在。本文将把这些开关频率的概念应用到实际场景当中。
2022-02-07
开关电源 设计 频率
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识别并消除次谐波振荡
DC/DC的不稳定是由多种因素造成的，例如补偿参数不当或布局不足。本文将主要讨论次谐波振荡，这是一种当电流模式开关稳压器具有连续电感电流且占空比超过 50% 时可能产生的不稳定形式，而这种振荡会导致不稳定的电源。
2022-02-07
消除 次谐波振荡 开关稳压器
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